| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 量子级联激光器的结构与优点 | 第8-9页 |
| 1.3 QCL激光器的发展 | 第9-10页 |
| 1.4 QCL激光器的应用 | 第10-11页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 InGaAs/InAlAs QCL基本结构原理与热特性分析 | 第13-23页 |
| 2.1 量子级联激光器基本理论 | 第13-15页 |
| 2.2 有源区技术路线发展 | 第15-17页 |
| 2.3 热效应对QCL的影响 | 第17-20页 |
| 2.4 量子级联激光器产热机理 | 第20-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 InGaAs/InAlAs QCL的制备工艺 | 第23-37页 |
| 3.1 对QCL激光器外延片检测 | 第23-27页 |
| 3.2 QCL激光器制备工艺 | 第27-36页 |
| 3.2.1 外延片的清洗 | 第28页 |
| 3.2.2 光刻 | 第28-33页 |
| 3.2.3 剥离工艺(Lift-off) | 第33页 |
| 3.2.4 刻蚀工艺 | 第33-34页 |
| 3.2.5 欧姆接触 | 第34-35页 |
| 3.2.6 焊接技术 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 ANSYS分析量子级联激光器 | 第37-51页 |
| 4.1 ANSYS分析 | 第37-39页 |
| 4.2 量子级联激光器阵列热分析 | 第39-49页 |
| 4.2.1 QCL模型建立 | 第39-46页 |
| 4.2.2 QCL不同封装方式下温升对比 | 第46-48页 |
| 4.2.3 不同阵列周期分析下QCL温升对比 | 第48-49页 |
| 4.3 QCL器件的制备与测试 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 本文总结 | 第51-52页 |
| 5.1 文章总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 硕士期间发表论文 | 第56页 |