| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 神经形态电子器件概述 | 第13-23页 |
| 1.2.1 生物神经系统及突触简介 | 第13-17页 |
| 1.2.2 人工突触器件在神经形态电子学中的应用 | 第17-23页 |
| 1.3 双电层TFTs概述 | 第23-34页 |
| 1.3.1 双电层TFTs的工作原理 | 第23-26页 |
| 1.3.2 双电层TFTs的研究进展 | 第26-30页 |
| 1.3.3 双电层TFTs在神经形态电子学中的应用 | 第30-34页 |
| 1.4 本章小结 | 第34页 |
| 1.5 本文主要研究内容及章节分布 | 第34-36页 |
| 第二章 氧化物双电层TFTs制备与表征 | 第36-50页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 基于壳聚糖有机聚合物薄膜栅介质的双电层TFTs | 第36-44页 |
| 2.2.1 材料简介 | 第36-37页 |
| 2.2.2 壳聚糖薄膜制备流程 | 第37-39页 |
| 2.2.3 壳聚糖薄膜的电学特性表征 | 第39-40页 |
| 2.2.4 基于壳聚糖电解质的双电层TFTs制备流程 | 第40-41页 |
| 2.2.5 TFTs的电学特性表征 | 第41-44页 |
| 2.3 基于改性氧化石墨烯薄膜栅介质的双电层TFTs | 第44-48页 |
| 2.3.1 材料简介 | 第44-45页 |
| 2.3.2 改性氧化石墨烯薄膜制备流程 | 第45页 |
| 2.3.3 改性氧化石墨烯薄膜的电学特性表征 | 第45-46页 |
| 2.3.4 基于改性氧化石墨烯的双电层TFTs制备流程 | 第46-47页 |
| 2.3.5 TFTs的电学特性表征 | 第47-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 基于氧化物双电层TFTs的人工突触 | 第50-70页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 单脉冲输入时的突触响应 | 第51-57页 |
| 3.2.1 单脉冲下的短程可塑性 | 第52-54页 |
| 3.2.2 单脉冲下的长程可塑性 | 第54-56页 |
| 3.2.3 单次神经活动的能耗 | 第56-57页 |
| 3.3 双脉冲输入时的突触易化现象 | 第57-60页 |
| 3.4 多脉冲输入时的突触行为 | 第60-68页 |
| 3.4.1 基于短程可塑性的滤波特性 | 第60-61页 |
| 3.4.2 基于长程可塑性的时间整合特性与记忆行为 | 第61-63页 |
| 3.4.3 基于长程可塑性的动态滤波功能 | 第63-64页 |
| 3.4.4 基于长程可塑性的尖峰时间依赖可塑性(STDP) | 第64-66页 |
| 3.4.5 基于长程可塑性的尖峰频率依赖可塑性(SRDP) | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 基于氧化物双电层TFTs的光激发人工突触 | 第70-83页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 基于光电TFTs的基本突触行为模拟 | 第71-75页 |
| 4.2.1 兴奋性突触后电流与时间累积特性 | 第72-73页 |
| 4.2.2 双脉冲易化 | 第73-74页 |
| 4.2.3 滤波特性 | 第74-75页 |
| 4.3 光电TFTs的在栅极电压调控下的突触行为模拟 | 第75-82页 |
| 4.3.1 兴奋性突触后电压 | 第77-79页 |
| 4.3.2 双脉冲易化 | 第79-80页 |
| 4.3.3 时间累积与长程记忆 | 第80-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-87页 |
| 5.1 总结 | 第83-85页 |
| 5.2 展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-98页 |
| 攻读博士期间发表的学术成果 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
