| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 团簇及其稳定性的研究与发展 | 第8-10页 |
| 1.1.1 团簇与团簇组装材料 | 第8-9页 |
| 1.1.2 稳定性团簇——幻数团簇和超原子 | 第9-10页 |
| 1.2 过渡金属硅团簇的研究 | 第10-12页 |
| 1.3 过渡金属硅笼团簇的组装研究 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新点 | 第13-14页 |
| 第二章 材料物理性质的第一性原理计算研究 | 第14-22页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第14-15页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第15-17页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第16-17页 |
| 2.3 分子动力学方法(MD) | 第17-20页 |
| 2.3.1 经典分子动力学 | 第17-19页 |
| 2.3.2 第一性原理分子动力学 | 第19-20页 |
| 2.4 VASP程序与本论文计算 | 第20-22页 |
| 第三章 Cr@Si_(12)的二维自组装结构 | 第22-36页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 理论模型和计算细节 | 第22-24页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第24-35页 |
| 3.3.1 几何结构 | 第26-27页 |
| 3.3.2 稳定性 | 第27-29页 |
| 3.3.3 磁性质 | 第29-31页 |
| 3.3.4 成键特征与电子性质 | 第31-33页 |
| 3.3.5 态密度分析 | 第33-35页 |
| 3.4 结论 | 第35-36页 |
| 第四章 TM@Si_(12)的二维自组装结构(TM=Sc,Ti,V,Mn,Fe,Co,Ni) | 第36-52页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 计算细节 | 第36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-49页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第36-38页 |
| 4.3.2 磁性质 | 第38-45页 |
| 4.3.3 应力调控 | 第45-47页 |
| 4.3.4 Li原子吸附 | 第47-49页 |
| 4.4 结论 | 第49-52页 |
| 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |