摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-28页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 水污染以及Cr(Ⅵ)污水的常见处理方法 | 第10-13页 |
1.2.1 水污染的主要来源 | 第10-11页 |
1.2.2 Cr(Ⅵ)的生理毒性 | 第11-12页 |
1.2.3 Cr(Ⅵ)污水常见的处理方法 | 第12-13页 |
1.3 半导体量子点材料催化技术 | 第13-19页 |
1.3.1 半导体材料及其特性 | 第13-14页 |
1.3.2 半导体量子点材料及其特性 | 第14-16页 |
1.3.3 半导体光催化的基本原理 | 第16-18页 |
1.3.4 半导体光催化剂的研究以及应用现状 | 第18-19页 |
1.4 SnS_2和石墨烯材料的研究进展 | 第19-26页 |
1.4.1 SnS_2材料概述 | 第20-23页 |
1.4.2 石墨烯材料概述 | 第23-25页 |
1.4.3 SnS_2/RGO复合材料研究进展 | 第25-26页 |
1.5 选题依据与意义 | 第26页 |
1.6 本课题的主要内容以及创新点 | 第26-28页 |
第二章 实验药品、仪器以及实验方法 | 第28-33页 |
2.1 实验药品及设备 | 第28-29页 |
2.1.1 实验药品 | 第28页 |
2.1.2 实验设备 | 第28-29页 |
2.2 实验方法 | 第29页 |
2.2.1 SnS_2 QDs的制备 | 第29页 |
2.2.2 石墨烯和SnS_2 QDs/RGO的制备 | 第29页 |
2.3 实验涉及的表征仪器 | 第29-31页 |
2.4 材料的光催化性能测试 | 第31-33页 |
第三章 SnS_2量子点光催化剂制备及其光催化还原水Cr(Ⅵ)性能研究 | 第33-41页 |
3.1 引言 | 第33-34页 |
3.2 SnS_2 QDs光催化剂的表征及分析 | 第34-38页 |
3.2.1 XRD和Raman分析 | 第34-35页 |
3.2.2 BET分析 | 第35页 |
3.2.3 TEM分析 | 第35-36页 |
3.2.4 XPS分析 | 第36-37页 |
3.2.5 UV-vis分析 | 第37-38页 |
3.3 SnS_2 QDs光催化还原水中Cr(Ⅵ)的光催化性能实验与分析 | 第38-40页 |
3.3.1 SnS_2 QDs剂量对光催化性能的影响 | 第39页 |
3.3.2 Cr(Ⅵ)的初始浓度对光催化性能的影响 | 第39页 |
3.3.3 SnS_2 QDs光催化剂的稳定性分析 | 第39-40页 |
3.4 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 SnS_2 QDs/RGO催化剂制备及其光催化还原水Cr(Ⅵ)性能研究 | 第41-56页 |
4.1 引言 | 第41页 |
4.2 SnS_2 QDs/RGO光催化剂的表征及分析 | 第41-48页 |
4.2.1 XRD和Raman分析 | 第41-43页 |
4.2.2 BET分析 | 第43-44页 |
4.2.3 TEM分析 | 第44-45页 |
4.2.4 XPS分析 | 第45-46页 |
4.2.5 UV-vis分析 | 第46-47页 |
4.2.6 荧光谱分析 | 第47-48页 |
4.3 SnS_2 QDs/RGO光催化还原水中Cr(Ⅵ)的光催化性能实验与分析 | 第48-54页 |
4.3.1 SnS_2 QDs和RGO在SnS_2 QDs/RGO中所占比例对光催化性能的影响 | 第48-49页 |
4.3.2 SnS_2 QDs/RGO剂量对光催化性能的影响 | 第49-51页 |
4.3.3 Cr(Ⅵ)的初始浓度对光催化性能的影响 | 第51页 |
4.3.4 SnS_2 QDs/RGO光催化剂的稳定性分析 | 第51-54页 |
4.4 SnS_2 QDs/RGO光催化剂的反应机制 | 第54-55页 |
4.5 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 全文总结 | 第56-58页 |
5.1 主要结论 | 第56-57页 |
5.2 本课题创新点 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-66页 |
附录 | 第66页 |