| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 铁电材料与铁电薄膜 | 第11-15页 |
| 1.1.1 铁电材料的特性 | 第11-12页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第12-14页 |
| 1.1.3 铁电薄膜材料的研究背景及发展现状 | 第14-15页 |
| 1.2 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜及其铁电性 | 第15-22页 |
| 1.2.1 HfO_2概述 | 第15-17页 |
| 1.2.2 ZrO_2概述 | 第17-18页 |
| 1.2.3 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜及其铁电性 | 第18-20页 |
| 1.2.4 电极材料对薄膜结构及性能的影响 | 第20-22页 |
| 1.3 论文选题方案及其结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜的制备工艺及结构与性能分析方法 | 第24-34页 |
| 2.1 脉冲激光沉积（PLD）制备方法简介 | 第24-26页 |
| 2.2 薄膜结构理论及表征方法 | 第26-31页 |
| 2.2.1 薄膜成核理论 | 第26-27页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第27-28页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第28-30页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.3 HZO薄膜的电学性能测试 | 第31-34页 |
| 2.3.1 底电极与顶电极的制备 | 第31-32页 |
| 2.3.2 薄膜铁电性能的测试 | 第32页 |
| 2.3.3 薄膜绝缘性能的测试 | 第32-33页 |
| 2.3.4 薄膜介电性能的测试 | 第33-34页 |
| 第三章 Pt/Si衬底上Hf)xZr_((1-x))O_2薄膜的生长研究及性能测试 | 第34-51页 |
| 3.1 Hf_xZr_((1-x))O_2靶材的制备 | 第34-36页 |
| 3.2 Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜工艺参数的探索 | 第36-42页 |
| 3.2.1 氧分压对Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的影响 | 第36-39页 |
| 3.2.2 温度对Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.3 最佳工艺参数下Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的结构与性能特征 | 第40-42页 |
| 3.3 Zr含量对Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜结构及性能的作用 | 第42-49页 |
| 3.3.1 不同Zr含量下薄膜最优工艺参数探索 | 第43页 |
| 3.3.2 Zr含量对薄膜结构的作用 | 第43-44页 |
| 3.3.3 Zr含量对薄膜性能的作用 | 第44-47页 |
| 3.3.4 最佳组分比下薄膜的结构与性能分析 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 电极材料对HZO铁电薄膜结构及性能的影响 | 第51-68页 |
| 4.1 不同电极结构的制备 | 第51-54页 |
| 4.2 电极材料对薄膜结构的作用 | 第54-56页 |
| 4.3 电极材料对HZO薄膜性能的作用 | 第56-59页 |
| 4.3.1 不同电极下薄膜的极化性能 | 第56-57页 |
| 4.3.2 不同电极下薄膜的绝缘性能 | 第57-59页 |
| 4.4 TiN/HZO/TiN结构薄膜性能初探 | 第59-66页 |
| 4.4.1 温度对TiN/HZO/TiN的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.2 氧分压对TiN/HZO/TiN的影响 | 第60-61页 |
| 4.4.3 TiN/HZO/TiN薄膜的结构和性能分析 | 第61-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 作者攻硕期间取得的成果 | 第76-77页 |
