金属催化等离子体刻蚀金刚石及其紫外探测器的制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-30页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 紫外探测的基本原理 | 第9-13页 |
| 1.2.1 紫外光探测技术的物理机制 | 第9页 |
| 1.2.2 紫外探测器的结构 | 第9-11页 |
| 1.2.3 紫外探测器的主要物理参数 | 第11-13页 |
| 1.3 紫外探测器与宽禁带半导体 | 第13-15页 |
| 1.4 金刚石紫外探测器的介绍 | 第15-23页 |
| 1.4.1 金刚石3-D紫外探测器的概念 | 第16-17页 |
| 1.4.2 金刚石3-D紫外探测器制备方法 | 第17-18页 |
| 1.4.3 金刚石紫外探测器的研究现状 | 第18-23页 |
| 1.6 金刚石的刻蚀方法及其研究 | 第23-29页 |
| 1.6.1 H/O等离子体金刚石刻蚀 | 第23-26页 |
| 1.6.2 金刚石金属催化刻蚀 | 第26-29页 |
| 1.7 本文研究内容 | 第29-30页 |
| 第2章 金刚石的刻蚀加工与研究方法介绍 | 第30-35页 |
| 2.1 刻蚀使用的材料 | 第30页 |
| 2.2 研究过程中的制备表征与测量方法 | 第30-34页 |
| 2.2.1 MPCVD装置简介 | 第30页 |
| 2.2.2 真空蒸镀 | 第30-31页 |
| 2.2.3 磁控溅射 | 第31-32页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第32-33页 |
| 2.2.5 激光共聚焦扫描显微镜(LSCM) | 第33页 |
| 2.2.6 半导体参数测试仪 | 第33-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 金刚石的金属催化等离子体刻蚀研究 | 第35-56页 |
| 3.1 金属催化金刚石刻蚀的研究 | 第35-46页 |
| 3.1.1 不同金属对金刚石的催化研究 | 第36-39页 |
| 3.1.2 不同沉积方法对工艺的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.3 金属薄膜沉积厚度对刻蚀的影响 | 第41-43页 |
| 3.1.4 不同刻蚀气压对刻蚀的影响 | 第43-44页 |
| 3.1.5 不同刻蚀温度对刻蚀的影响 | 第44-45页 |
| 3.1.6 金刚石不同晶面取向对刻蚀的影响 | 第45-46页 |
| 3.2 刻蚀机理的探究 | 第46-54页 |
| 3.2.1 刻蚀物质成分的分析 | 第46-49页 |
| 3.2.2 颗粒分析 | 第49-51页 |
| 3.2.3 形貌机理分析 | 第51-54页 |
| 3.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 金刚石3-D紫外探测器的性能测试 | 第56-70页 |
| 4.1 金刚石3-D紫外探测器的制备 | 第56-58页 |
| 4.2 金刚石3-D紫外探测器的性能测试 | 第58-63页 |
| 4.2.1 暗电流的测量 | 第58-59页 |
| 4.2.2 响应度与量子效率的测量 | 第59-60页 |
| 4.2.3 可探测度的测量 | 第60-63页 |
| 4.2.4 探测器的综合响应对比 | 第63页 |
| 4.3 金刚石3-D探测器的I-V曲线 | 第63-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
