| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引论 | 第7-8页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展 | 第8-11页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的应用 | 第11-12页 |
| 1.3.1 有机薄膜晶体管应用于大面积有源矩阵平板显示领域 | 第11页 |
| 1.3.2 有机薄膜晶体管应用于传感器阵列 | 第11页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管应用于有机存储与射频识别（RFID） | 第11-12页 |
| 1.4 当前有机薄膜晶体管的发展趋势与研究中存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.4.1 载流子传输理论有待完善 | 第12页 |
| 1.4.2 载流子迁移率尚需提高 | 第12-13页 |
| 1.4.3 应用研究有待加强 | 第13-14页 |
| 1.5 本文工作的主要内容与创新点 | 第14-17页 |
| 1.5.1 本文工作的主要内容 | 第14页 |
| 1.5.2 本文创新点 | 第14-17页 |
| 2 有机薄膜晶体管的理论与研究 | 第17-27页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的结构和材料 | 第17-22页 |
| 2.1.1 有机薄膜晶体管的基本结构 | 第17-19页 |
| 2.1.2 有机薄膜晶体管的材料 | 第19-22页 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的工作原理与机制 | 第22-25页 |
| 2.3 有机薄膜晶体管主要的性能参数 | 第25-26页 |
| 2.3.1 场效应迁移率 | 第26页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第26页 |
| 2.3.3 开-关电流比 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 半导体器件工艺与有机薄膜晶体管的制备流程 | 第27-41页 |
| 3.1 半导体器件工艺 | 第27-29页 |
| 3.1.1 热氧化 | 第27页 |
| 3.1.2 物理气相淀积 | 第27-28页 |
| 3.1.3 掩膜版 | 第28-29页 |
| 3.2 有机薄膜晶体管制备方法 | 第29-39页 |
| 3.2.1 仪器 | 第29-34页 |
| 3.2.2 有机薄膜晶体管的制备 | 第34-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 电极修饰对有机薄膜晶体管的性能的影响 | 第41-61页 |
| 4.1 金属-半导体接触 | 第41-43页 |
| 4.2 量子隧穿效应 | 第43-44页 |
| 4.3 实验与分析 | 第44-56页 |
| 4.4 具有隧穿效应OTFT器件模型 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-61页 |
| 5 新型有机异质结晶体管的研究 | 第61-79页 |
| 5.1 有机异质结晶体管 | 第61-63页 |
| 5.2 实验与分析 | 第63-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 6 全文总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 论文总结 | 第79-80页 |
| 6.2 研究展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 附录 | 第89页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第89页 |
| B. 作者在攻读硕士学位期间参与的项目 | 第89页 |
