摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 集成电路测试介绍 | 第9-10页 |
1.2 ATE(自动化测试设备)测试系统 | 第10-14页 |
1.2.1 ATE 简介 | 第10-12页 |
1.2.2 ATE 测试的优势与局限性 | 第12-13页 |
1.2.3 国内外 ATE 的发展情况 | 第13-14页 |
1.3 可测性设计(DFT)与内建自测试(BIST) | 第14-15页 |
1.3.1 可测性设计(DFT) | 第14页 |
1.3.2 内建自测试(BIST) | 第14-15页 |
1.4 研究的目标和内容 | 第15-16页 |
1.4.1 研究目标 | 第15页 |
1.4.2 研究内容 | 第15-16页 |
第二章 ADP2381 电源芯片 | 第16-34页 |
2.1 开关电源的定义 | 第16页 |
2.2 ADP2381 介绍 | 第16-18页 |
2.3 ADP2381 的工作原理 | 第18-21页 |
2.3.1 控制方案 | 第18页 |
2.3.2 内部稳压器(VREG) | 第18页 |
2.3.3 自举电路 | 第18页 |
2.3.4 低侧驱动器 | 第18页 |
2.3.5 振荡器 | 第18-19页 |
2.3.6 自同步(SYNC) | 第19页 |
2.3.7 使能和软启动(EN/SS) | 第19-20页 |
2.3.8 电源良好输出监控 | 第20页 |
2.3.9 峰值电流限制和短路保护 | 第20-21页 |
2.3.10 过压保护(OVP) | 第21页 |
2.3.11 欠压锁定(UVLO) | 第21页 |
2.3.12 热关断 | 第21页 |
2.4 ADP2381 的应用 | 第21-29页 |
2.4.1 输入电容的选择 | 第21页 |
2.4.2 输出电压选择 | 第21-22页 |
2.4.3 电压转换限制 | 第22-23页 |
2.4.4 电感选择 | 第23-24页 |
2.4.5 输出电容选择 | 第24-25页 |
2.4.6 低端功率器件选择 | 第25-26页 |
2.4.7 编程输入电压 UVLO | 第26页 |
2.4.8 补偿设计 | 第26-29页 |
2.5 设计用例 | 第29-33页 |
2.5.1 输出电压设置 | 第29-30页 |
2.5.2 频率设置 | 第30页 |
2.5.3 电感选择 | 第30页 |
2.5.4 输出电容选择 | 第30-31页 |
2.5.5 低侧 MOSFET 选择 | 第31页 |
2.5.6 补偿元件 | 第31-32页 |
2.5.7 设置软启动时间 | 第32页 |
2.5.8 输入电容的选择 | 第32页 |
2.5.9 原理图设计实例 | 第32-33页 |
2.6 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 DIB 设计技术 | 第34-37页 |
3.1 PCB 的布局布线 | 第34-35页 |
3.1.1 布局 | 第34-35页 |
3.1.2 布线 | 第35页 |
3.2 ADP2381 的电路板布局 | 第35-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-37页 |
第四章 基于 MicroFLEX 的 ADP2381 的测试系统设计 | 第37-52页 |
4.1 电源管理芯片的基本测试项 | 第37页 |
4.2 ATE 测试工具 IG-XL | 第37-42页 |
4.2.1 VBA(Visual Basic forApplications) | 第38页 |
4.2.2 测试模板(Test Templates) | 第38-40页 |
4.2.4 测试元素(Test Elements) | 第40页 |
4.2.5 调试环境(Debug Environment) | 第40-42页 |
4.3 直流参数(DC)测试 | 第42-47页 |
4.3.1 Rdson 测试 | 第42-44页 |
4.3.2 开短路测试 | 第44-45页 |
4.3.3 漏电流测试 | 第45-47页 |
4.4 交流参数(AC)测试 | 第47-49页 |
4.4.1 最小开/关时间测试 | 第47-48页 |
4.4.2 频率测试 | 第48-49页 |
4.5 功能测试 | 第49-51页 |
4.5.1 过压保护测试(OVP) | 第49-50页 |
4.5.2 欠压锁定测试(UVLO) | 第50-51页 |
4.6 测试程序的调试与优化 | 第51页 |
4.7 本章小结 | 第51-52页 |
第五章 测试结果与性能分析 | 第52-61页 |
5.1 Rdson 测试结果 | 第52-54页 |
5.1.1 常温下不同芯片的 Rdson 值 | 第52-53页 |
5.1.2 同一芯片不同温度下 Rdson 值 | 第53-54页 |
5.2 漏电流测试结果 | 第54-55页 |
5.2.1 常温下不同芯片的 FB 漏电流 | 第54-55页 |
5.2.2 同一芯片不同温度下的 FB 漏电流 | 第55页 |
5.3 最小开/关时间测试结果 | 第55-57页 |
5.3.1 常温下不同芯片的测试结果 | 第55-56页 |
5.3.2 不同芯片不同温度下的测试结果 | 第56-57页 |
5.4 频率测试结果 | 第57-59页 |
5.5 过压保护测试结果 | 第59-60页 |
5.6 本章小结 | 第60-61页 |
第六章 总结与展望 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第65-66页 |
附件 | 第66-68页 |