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基于ATE的电源芯片的测试系统设计与性能分析

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 集成电路测试介绍第9-10页
    1.2 ATE(自动化测试设备)测试系统第10-14页
        1.2.1 ATE 简介第10-12页
        1.2.2 ATE 测试的优势与局限性第12-13页
        1.2.3 国内外 ATE 的发展情况第13-14页
    1.3 可测性设计(DFT)与内建自测试(BIST)第14-15页
        1.3.1 可测性设计(DFT)第14页
        1.3.2 内建自测试(BIST)第14-15页
    1.4 研究的目标和内容第15-16页
        1.4.1 研究目标第15页
        1.4.2 研究内容第15-16页
第二章 ADP2381 电源芯片第16-34页
    2.1 开关电源的定义第16页
    2.2 ADP2381 介绍第16-18页
    2.3 ADP2381 的工作原理第18-21页
        2.3.1 控制方案第18页
        2.3.2 内部稳压器(VREG)第18页
        2.3.3 自举电路第18页
        2.3.4 低侧驱动器第18页
        2.3.5 振荡器第18-19页
        2.3.6 自同步(SYNC)第19页
        2.3.7 使能和软启动(EN/SS)第19-20页
        2.3.8 电源良好输出监控第20页
        2.3.9 峰值电流限制和短路保护第20-21页
        2.3.10 过压保护(OVP)第21页
        2.3.11 欠压锁定(UVLO)第21页
        2.3.12 热关断第21页
    2.4 ADP2381 的应用第21-29页
        2.4.1 输入电容的选择第21页
        2.4.2 输出电压选择第21-22页
        2.4.3 电压转换限制第22-23页
        2.4.4 电感选择第23-24页
        2.4.5 输出电容选择第24-25页
        2.4.6 低端功率器件选择第25-26页
        2.4.7 编程输入电压 UVLO第26页
        2.4.8 补偿设计第26-29页
    2.5 设计用例第29-33页
        2.5.1 输出电压设置第29-30页
        2.5.2 频率设置第30页
        2.5.3 电感选择第30页
        2.5.4 输出电容选择第30-31页
        2.5.5 低侧 MOSFET 选择第31页
        2.5.6 补偿元件第31-32页
        2.5.7 设置软启动时间第32页
        2.5.8 输入电容的选择第32页
        2.5.9 原理图设计实例第32-33页
    2.6 本章小结第33-34页
第三章 DIB 设计技术第34-37页
    3.1 PCB 的布局布线第34-35页
        3.1.1 布局第34-35页
        3.1.2 布线第35页
    3.2 ADP2381 的电路板布局第35-36页
    3.3 本章小结第36-37页
第四章 基于 MicroFLEX 的 ADP2381 的测试系统设计第37-52页
    4.1 电源管理芯片的基本测试项第37页
    4.2 ATE 测试工具 IG-XL第37-42页
        4.2.1 VBA(Visual Basic forApplications)第38页
        4.2.2 测试模板(Test Templates)第38-40页
        4.2.4 测试元素(Test Elements)第40页
        4.2.5 调试环境(Debug Environment)第40-42页
    4.3 直流参数(DC)测试第42-47页
        4.3.1 Rdson 测试第42-44页
        4.3.2 开短路测试第44-45页
        4.3.3 漏电流测试第45-47页
    4.4 交流参数(AC)测试第47-49页
        4.4.1 最小开/关时间测试第47-48页
        4.4.2 频率测试第48-49页
    4.5 功能测试第49-51页
        4.5.1 过压保护测试(OVP)第49-50页
        4.5.2 欠压锁定测试(UVLO)第50-51页
    4.6 测试程序的调试与优化第51页
    4.7 本章小结第51-52页
第五章 测试结果与性能分析第52-61页
    5.1 Rdson 测试结果第52-54页
        5.1.1 常温下不同芯片的 Rdson 值第52-53页
        5.1.2 同一芯片不同温度下 Rdson 值第53-54页
    5.2 漏电流测试结果第54-55页
        5.2.1 常温下不同芯片的 FB 漏电流第54-55页
        5.2.2 同一芯片不同温度下的 FB 漏电流第55页
    5.3 最小开/关时间测试结果第55-57页
        5.3.1 常温下不同芯片的测试结果第55-56页
        5.3.2 不同芯片不同温度下的测试结果第56-57页
    5.4 频率测试结果第57-59页
    5.5 过压保护测试结果第59-60页
    5.6 本章小结第60-61页
第六章 总结与展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-65页
攻读硕士期间发表的论文第65-66页
附件第66-68页

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