| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 石墨烯的结构、性质和应用 | 第9-10页 |
| 1.2 CVD法合成石墨烯的研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 CVD法合成石墨烯的影响因素 | 第10-11页 |
| 1.2.2 CVD法合成石墨烯的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.3 CVD法合成石墨烯存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.3 石墨烯岛的概论及可控制备的研究进展 | 第13-19页 |
| 1.3.1 石墨烯岛的概论 | 第13-17页 |
| 1.3.2 石墨烯岛可控制备的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4 课题的研究目的和内容 | 第19-21页 |
| 2 实验部分 | 第21-33页 |
| 2.1 实验试剂与器材 | 第21-22页 |
| 2.1.1 实验试剂和材料 | 第21页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 CVD法制备石墨烯 | 第22-27页 |
| 2.2.1 铜箔的清洗与铜膜的制备 | 第22-24页 |
| 2.2.2 石墨烯的CVD合成方法 | 第24-26页 |
| 2.2.3 石墨烯的转移方法 | 第26-27页 |
| 2.3 石墨烯的表征方法 | 第27-33页 |
| 2.3.1 光学显微镜（OM） | 第27-28页 |
| 2.3.2 拉曼光谱仪（Raman） | 第28-29页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第29页 |
| 2.3.4 电子背散射衍射（EBSD） | 第29-30页 |
| 2.3.5 原子力显微镜（AFM） | 第30页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜（TEM） | 第30-31页 |
| 2.3.7 方块电阻分析-四探针电导率仪 | 第31页 |
| 2.3.8 X-射线衍射（XRD） | 第31页 |
| 2.3.9 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第31-33页 |
| 3 氢气对石墨烯合成过程的影响研究 | 第33-49页 |
| 3.1 前言 | 第33页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第33-47页 |
| 3.2.1 生长阶段有无H_2对铜箔表面石墨烯生长的影响 | 第33-40页 |
| 3.2.2 CH_4流量对无H_2的生长阶段生长石墨烯的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.3 生长阶段无H_2条件下退火时间对石墨烯生长的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.4 H_2在退火和生长阶段的作用 | 第43-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 石墨烯岛的动力学影响研究 | 第49-59页 |
| 4.1 前言 | 第49页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第49-58页 |
| 4.2.1 铜膜催化合成石墨烯的研究 | 第49-50页 |
| 4.2.2 氢气对调控石墨烯岛成核密度的影响 | 第50-54页 |
| 4.2.3 二段氢气对石墨烯岛的形状的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.4 二段碳源对调控石墨烯岛形状的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 氢气对碳在金属内部的溶解和析出过程的影响 | 第59-69页 |
| 5.1 前言 | 第59页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第59-66页 |
| 5.2.1 合成过程中有无H_2对铜膜和钴膜的表面结构以及石墨烯生长的影响 | 第59-63页 |
| 5.2.2 在不同的阶段是否通入H_2对铜膜和钴膜催化合成石墨烯的研究 | 第63-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-69页 |
| 6 结论及展望 | 第69-71页 |
| 6.1 结论 | 第69页 |
| 6.2 展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 附录 | 第81页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间发表的论文和专利目录 | 第81页 |
| B 作者在攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第81页 |
