温和条件下不同形貌氧化钨的控制合成及其气敏性能研究
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 纳米材料科学与技术 | 第9页 |
| 1.1.2 纳米材料的基本效应 | 第9-11页 |
| 1.1.3 纳米材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.1.4 纳米材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.1.5 纳米材料的特性及应用 | 第13页 |
| 1.2 半导体氧化物气敏传感器 | 第13-23页 |
| 1.2.1 纳米材料气敏传感器 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体气敏传感器的种类 | 第14-16页 |
| 1.2.3 半导体气敏传感器性能指标 | 第16-17页 |
| 1.2.4 形貌对气敏性能的影响 | 第17-23页 |
| 1.3 三氧化钨 | 第23-28页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第23-25页 |
| 1.3.2 物化性能 | 第25-26页 |
| 1.3.3 气敏性能 | 第26-28页 |
| 1.4 研究目的与内容 | 第28-31页 |
| 1.4.1 课题的研究目的 | 第28页 |
| 1.4.2 课题的研究内容 | 第28-31页 |
| 2 材料制备与测试 | 第31-37页 |
| 2.1 研究方法 | 第31页 |
| 2.2 实验方案 | 第31-32页 |
| 2.3 实验材料与设备 | 第32-34页 |
| 2.4 结构与形貌表征 | 第34页 |
| 2.5 气敏性能测试 | 第34-37页 |
| 2.5.1 气敏元件制备 | 第34-35页 |
| 2.5.2 气敏性能测试 | 第35-37页 |
| 3 一维纳米线状三氧化钨的控制合成与气敏性能研究 | 第37-45页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 材料制备与表征 | 第37-40页 |
| 3.3 生长机理讨论 | 第40-41页 |
| 3.4 气敏性能研究 | 第41-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-45页 |
| 4 二维纳米片状三氧化钨的控制合成与气敏性能研究 | 第45-55页 |
| 4.1 前言 | 第45页 |
| 4.2 材料制备和表征 | 第45-47页 |
| 4.3 反应时间的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 生长机理讨论 | 第48-50页 |
| 4.5 气敏性能影响 | 第50-54页 |
| 4.6 小结 | 第54-55页 |
| 5 三维分级纳米结构三氧化钨的控制合成研究 | 第55-71页 |
| 5.1 前言 | 第55页 |
| 5.2 介孔WO_3亚微米球 | 第55-60页 |
| 5.2.1 材料制备与表征 | 第55-58页 |
| 5.2.2 生长机理讨论 | 第58-59页 |
| 5.2.3 性能测试 | 第59-60页 |
| 5.3 海胆状WO_3微球 | 第60-64页 |
| 5.3.1 材料制备与表征 | 第60-62页 |
| 5.3.2 生长机理讨论 | 第62-63页 |
| 5.3.3 气敏性能测试 | 第63-64页 |
| 5.4 纳米片组装的WO_3·H_2O纳米花 | 第64-69页 |
| 5.4.1 材料制备与表征 | 第64-67页 |
| 5.4.2 生长机理讨论 | 第67-69页 |
| 5.5 小结 | 第69-71页 |
| 6 结论与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 结论 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-87页 |
| 附录 | 第87-89页 |
| A. 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第87-89页 |
| B. 攻读硕士学位期间申请的发明专利 | 第89页 |
