摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-47页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 纳米材料的性质 | 第12-13页 |
1.3 一维纳米材料的研究概况 | 第13-37页 |
1.3.1 一维金属氧化物纳米线的制备方法 | 第16-25页 |
1.3.2 一维金属氧化物材料的性能特点 | 第25-37页 |
1.4 氧化钨和氧化锌一维纳米材料的研究现状 | 第37-45页 |
1.4.1 氧化钨一维纳米材料 | 第37-42页 |
1.4.2 氧化锌一维纳米材料 | 第42-45页 |
1.5 选题意义和研究内容 | 第45-47页 |
2 氧化钨柔性冷阴极研究 | 第47-72页 |
2.1 前言 | 第47页 |
2.2 场致电子发射机理 | 第47-51页 |
2.2.1 金属的场致电子发射理论 | 第47-49页 |
2.2.2 半导体场致电子发射理论 | 第49-51页 |
2.3 氧化钨纳米结构的制备 | 第51-64页 |
2.3.1 热蒸发系统和方法 | 第51-53页 |
2.3.2 W_(18)O_(49)纳米线阵列 | 第53-57页 |
2.3.3 W_(20)O_(58)纳米线阵列 | 第57-61页 |
2.3.4 WO_3三维网络状纳米结构 | 第61-64页 |
2.4 W_(20)O_(58)纳米线阵列/碳纤维柔性冷阴极的性能测试和分析 | 第64-71页 |
2.4.1 W_(20)O_(58)纳米线阵列/碳纤维结构场发射性能 | 第66-69页 |
2.4.2 W_(20)O_(58)纳米线阵列/碳纤维结构的电学和热导性质研究 | 第69-71页 |
2.5 本章小结 | 第71-72页 |
3 氧化钨纳米材料光催化和光电化学性质研究 | 第72-93页 |
3.1 前言 | 第72页 |
3.2 半导体光电化学的基础理论 | 第72-79页 |
3.2.1 半导体光电化学的基本物理和化学过程 | 第74-77页 |
3.2.2 光电化学转换效率测量方法 | 第77-79页 |
3.3 三维网络结构WO_3光催化和光电化学性质 | 第79-82页 |
3.3.1 实验方法和测试仪器 | 第79页 |
3.3.2 结果分析与讨论 | 第79-82页 |
3.4 多层WO_3纳米线阵列的光电化学性质 | 第82-88页 |
3.4.1 实验方法 | 第83页 |
3.4.2 结果讨论 | 第83-88页 |
3.5 贵金属颗粒修饰WO_3纳米材料 | 第88-92页 |
3.5.1 贵金属修饰氧化钨纳米材料实验方法 | 第88-90页 |
3.5.2 Au颗粒增强WO_3纳米线阵列光电化学性能 | 第90-92页 |
3.6 本章小结 | 第92-93页 |
4 氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器研究 | 第93-103页 |
4.1 前言 | 第93-94页 |
4.2 ZnO纳米线阵列的制备 | 第94-98页 |
4.3 ZnO纳米线阵列紫外光电探测器 | 第98-101页 |
4.4 本章小结 | 第101-103页 |
5 波长可调镓锌氧纳米线阵列发光二极管研究 | 第103-119页 |
5.1 前言 | 第103-104页 |
5.2 氧化锌能带工程研究概述 | 第104-106页 |
5.3 镓锌氧纳米线阵列的制备和表征 | 第106-111页 |
5.4 镓锌氧纳米线阵列LED器件研究 | 第111-118页 |
5.5 本章小结 | 第118-119页 |
6 总结与展望 | 第119-122页 |
6.1 全文总结 | 第119-120页 |
6.2 未来工作展望 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-135页 |
附录Ⅰ 本文所涉及的材料表征和性能测试设备介绍 | 第135-140页 |
附录Ⅱ 攻读学位期间发表论文目录 | 第140-142页 |