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高能束熔化TC4合金微熔池内元素挥发的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-26页
    1.1 课题的研究背景及目的意义第10页
    1.2 高能束熔炼的特点第10-14页
        1.2.1 激光直接制造技术第11-12页
        1.2.2 激光选区熔化技术第12页
        1.2.3 电子束熔炼第12-14页
    1.3 元素挥发的热力学研究现状第14-20页
        1.3.1 二元熔液模型第15-17页
        1.3.2 三元合金熔液模型第17-19页
        1.3.3 金属的可挥发性第19-20页
    1.4 元素挥发动力学的研究现状第20-25页
        1.4.1 液相中的迁移第20-22页
        1.4.2 界面处的挥发反应第22页
        1.4.3 气相阶段的迁移第22-24页
        1.4.4 分子在冷凝壁的冷凝第24-25页
    1.5 本文主要研究内容第25-26页
第2章 元素挥发的模型第26-41页
    2.1 引言第26页
    2.2 热力学模型第26-33页
        2.2.1 二元合金组元的活度系数第26-28页
        2.2.2 三元溶液各组元的活度系数第28-32页
        2.2.3 熔体中各组元的饱和蒸汽压第32-33页
    2.3 动力学模型第33-36页
        2.3.1 元素挥发的过程第33-34页
        2.3.2 液相阶段的传质第34页
        2.3.3 在熔体表面发生气化反应并扩散到气相中第34-35页
        2.3.4 挥发组元的冷凝壁的凝结第35-36页
    2.4 挥发组元扩散的数学模型第36-38页
    2.5 差分法的主要思想第38-40页
        2.5.1 计算区域的网格剖分第38-39页
        2.5.2 计算方程第39-40页
    2.6 本章小结第40-41页
第3章 计算结果第41-62页
    3.1 引言第41页
    3.2 外压对扩散过程的影响第41-57页
        3.2.1 2200K 时真空室浓度分布第41-45页
        3.2.2 2150K 时真空室浓度分布第45-49页
        3.2.3 2100K 时真空室浓度分布第49-53页
        3.2.4 2050K 时真空室浓度分布第53-57页
    3.3 不同温度下的挥发速率第57-60页
        3.3.1 熔体温度 2200K 时的挥发速率第57-58页
        3.3.2 熔体温度 2150K 时的挥发速率第58页
        3.3.3 熔体温度 2100K 时的挥发速率第58-59页
        3.3.4 熔体温度 2050K 时的挥发速率第59-60页
    3.4 外压对传质系数的影响第60-61页
    3.5 本章小结第61-62页
第4章 实验验证第62-70页
    4.1 引言第62页
    4.2 电子束熔炼实验第62-66页
        4.2.1 电子束熔炼实验方案第62-64页
        4.2.2 实验结果第64页
        4.2.3 理论计算结果第64-65页
        4.2.4 对比与分析第65-66页
    4.3 激光熔炼实验第66-69页
        4.3.1 激光熔炼实验方案第66-67页
        4.3.2 实验结果第67-68页
        4.3.3 理论计算结果第68页
        4.3.4 对比与分析第68-69页
    4.4 本章结论第69-70页
结论第70-71页
参考文献第71-77页
致谢第77页

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