| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 非易失性存储器介绍 | 第10-15页 |
| 1.2.1 闪存存储器(Flash Memory) | 第10页 |
| 1.2.2 铁电随机存储器(FRAM) | 第10-11页 |
| 1.2.3 磁阻随机存储器(MRAM) | 第11-12页 |
| 1.2.4 相变随机存储器(PRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.5 电阻型随机存储器(RRAM) | 第13-14页 |
| 1.2.6 非易失性存储器性能比较 | 第14-15页 |
| 1.3 RRAM的研究现状 | 第15-24页 |
| 1.3.1 RRAM的发展概况 | 第15-16页 |
| 1.3.2 RRAM的结构和制备方法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 RRAM的阻变行为和性能参数 | 第17-18页 |
| 1.3.4 RRAM材料的研究 | 第18-20页 |
| 1.3.5 RRAM的阻变机理 | 第20-24页 |
| 1.4 碳基阻变材料的研究 | 第24-29页 |
| 1.4.1 碳基电子材料时代 | 第24-25页 |
| 1.4.2 碳基阻变材料的研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4.3 非晶碳阻变材料的研究现状 | 第28-29页 |
| 1.5 本文的研究意义和内容 | 第29-30页 |
| 1.5.1 本文的研究意义 | 第29页 |
| 1.5.2 本文的研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验方法和表征技术 | 第30-38页 |
| 2.1 薄膜和器件制备 | 第30-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射薄膜制备技术 | 第30-31页 |
| 2.1.2 电子束蒸发镀膜技术 | 第31-32页 |
| 2.1.3 气氛退火炉 | 第32页 |
| 2.2 薄膜和器件的表征手段 | 第32-38页 |
| 2.2.1 半导体参数测试仪 | 第32-33页 |
| 2.2.2 综合物理性能测试系统 | 第33-34页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第34页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜和聚焦离子束制样 | 第34-35页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第35-36页 |
| 2.2.6 表面轮廓仪 | 第36页 |
| 2.2.7 X射线衍射仪 | 第36-38页 |
| 第三章 沉积态非晶碳薄膜的阻变效应探究 | 第38-46页 |
| 3.1 薄膜和器件的制备 | 第38-39页 |
| 3.1.1 靶材和衬底处理 | 第38页 |
| 3.1.2 非晶碳薄膜沉积 | 第38-39页 |
| 3.1.3 电极和器件制备 | 第39页 |
| 3.2 Ar气氛沉积态非晶碳膜的电致电阻效应 | 第39-41页 |
| 3.2.1 Ar气氛沉积态非晶碳膜和器件 | 第39-40页 |
| 3.2.2 Ar气氛沉积态非晶碳膜的电学性能 | 第40-41页 |
| 3.3 N_2气氛沉积态N掺杂非晶碳膜的电致电阻效应 | 第41-45页 |
| 3.3.1 N_2气氛沉积态N掺杂非晶碳膜及其器件 | 第41页 |
| 3.3.2 N_2气氛沉积态N掺杂非晶碳膜的电学性能 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 退火态N掺杂非晶碳膜的电致电阻效应探究 | 第46-54页 |
| 4.1 薄膜和器件制备 | 第46-47页 |
| 4.2 退火态N掺杂非晶碳膜的电致电阻效应 | 第47-52页 |
| 4.2.1 10nm厚度N掺杂非晶碳膜的电致电阻效应 | 第47-49页 |
| 4.2.2 60nm厚度N掺杂非晶碳膜的电致电阻效应 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 N掺杂非晶碳膜的阻变机理分析 | 第54-66页 |
| 5.1 N掺杂非晶碳膜的化学键合状态分析 | 第54-55页 |
| 5.2 N掺杂非晶碳膜的表面形貌分析 | 第55-58页 |
| 5.2.1 N掺杂非晶碳膜的AFM分析 | 第55-57页 |
| 5.2.2 N掺杂非晶碳膜的CAFM分析 | 第57-58页 |
| 5.3 N掺杂非晶碳膜的TEM分析 | 第58-60页 |
| 5.4 非晶碳膜器件的随温电阻变化分析 | 第60-61页 |
| 5.5 阻变机理分析和总结 | 第61-66页 |
| 第六章 结论和展望 | 第66-68页 |
| 6.1 结论 | 第66页 |
| 6.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
