| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 掺杂半导体的电子态以及光吸收公式的有关推导 | 第10-17页 |
| 第三章 程序自洽计算说明 | 第17-18页 |
| 第四章 Si delta掺杂GaAs材料一维无限深势阱结构 | 第18-28页 |
| 4.1 Si delta掺杂GaAs材料一维无限深势阱的理论知识 | 第18-20页 |
| 4.2 势阱中电子密度的分布 | 第20页 |
| 4.3 温度对Si delta掺杂的GaAs材料一维无限深势阱的影响 | 第20-23页 |
| 4.3.1 温度对自洽势的影响 | 第20-21页 |
| 4.3.2 温度对各子带能级和费米能级的影响 | 第21-22页 |
| 4.3.3 温度对子带间光学吸收系数的影响 | 第22-23页 |
| 4.4 掺杂浓度对Si delta掺杂的GaAs材料一维无限深势阱的影响 | 第23-26页 |
| 4.4.1 掺杂浓度对电子各能级和费米能级的影响 | 第24页 |
| 4.4.2 掺杂浓度对电子布居的影响 | 第24-25页 |
| 4.4.3 掺杂浓度对子带间光学吸收系数的影响 | 第25-26页 |
| 4.5 子带间光学吸收系数随入射光强度的变化 | 第26-28页 |
| 第五章 Si delta掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双势阱结构 | 第28-39页 |
| 5.1 Si delta掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双势阱结构的理论知识 | 第28-30页 |
| 5.2 Si delta掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双势阱结构的电子态结构 | 第30-31页 |
| 5.3 温度对Si delta掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双势阱结构的影响 | 第31-34页 |
| 5.3.1 温度对自洽势的影响 | 第32页 |
| 5.3.2 温度对各能级及其分裂能级本征值和费米能级的影响 | 第32-33页 |
| 5.3.3 温度对子带间光学吸收系数的影响 | 第33-34页 |
| 5.4 掺杂浓度对Si delta掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双势阱结构的影响 | 第34-36页 |
| 5.4.1 掺杂浓度对费米能级和各能级及其分裂能级的影响 | 第34-35页 |
| 5.4.2 掺杂浓度对各能级上电子布居的影响 | 第35页 |
| 5.4.3 掺杂浓度对子带间光学吸收系数的影响 | 第35-36页 |
| 5.5 入射光能量对子带间光学吸收系数的影响 | 第36-39页 |
| 第六章 总结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
