| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 GaInP半导体激光器的应用 | 第9-12页 |
| 1.1.1 光盘存储 | 第9-10页 |
| 1.1.2 医疗 | 第10-11页 |
| 1.1.3 军事 | 第11页 |
| 1.1.4 激光显示 | 第11-12页 |
| 1.2 GaInP半导体激光器的发展 | 第12-15页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4 研究内容及章节安排 | 第15-16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 2 材料生长设备及测试方法简介 | 第17-25页 |
| 2.1 MOCVD简介 | 第17-18页 |
| 2.2 本论文相关的材料测试方法 | 第18-24页 |
| 2.2.1 X射线双晶衍射 | 第18-21页 |
| 2.2.2 PL谱 | 第21-22页 |
| 2.2.3 ECV | 第22-23页 |
| 2.2.4 SIMS | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 张应变GaInP量子阱激光器的理论分析与特性模拟 | 第25-35页 |
| 3.1 GaInP量子阱材料的理论分析 | 第25-27页 |
| 3.1.1 GaInP半导体材料的能带结构 | 第25页 |
| 3.1.2 应变对发光波长及激射模式的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.3 GaInP量子阱的临界厚度 | 第26-27页 |
| 3.2 张应变GaInP量子阱激光器的特性模拟 | 第27-32页 |
| 3.2.1 GaInP量子阱组分的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.2 GaInP量子阱厚度的影响 | 第29页 |
| 3.2.3 量子垒厚度的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.4 波导层厚度的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.5 上限制层厚度的影响 | 第31页 |
| 3.2.6 上限制层掺杂浓度的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 优化设计后的张应变GaInP量子阱激光器 | 第32-34页 |
| 3.3.1 张应变GaInP量子阱激光器的材料结构 | 第32页 |
| 3.3.2 张应变GaInP量子阱红光激光器的增益特性 | 第32-33页 |
| 3.3.3 张应变GaInP量子阱红光激光器的光场分布 | 第33页 |
| 3.3.4 张应变GaInP量子阱红光激光器P-I特性 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 张应变GaInP量子阱激光器外延材料的特性分析 | 第35-45页 |
| 4.1 用于Mg掺杂研究的外延材料 | 第35-36页 |
| 4.2 外延材料的晶格失配 | 第36-37页 |
| 4.3 外延材料的室温PL | 第37页 |
| 4.4 外延材料的SIMS测试 | 第37-38页 |
| 4.5 AlInP上限制层的Mg掺杂特性 | 第38-39页 |
| 4.6 快速退火对Mg掺杂的激活研究 | 第39-40页 |
| 4.7 快速退火对外延片表面的影响 | 第40-41页 |
| 4.8 张应变GaInP量子阱红光激光器整体结构与测试 | 第41-43页 |
| 4.9 本章小结 | 第43-45页 |
| 5 张应变GaInP量子阱激光器外延材料的变温PL研究 | 第45-53页 |
| 5.1 外延材料及离子注入诱导量子阱混杂 | 第45-46页 |
| 5.2 不同外延材料的室温PL谱 | 第46-47页 |
| 5.3 不同外延材料的变温PL谱 | 第47-49页 |
| 5.4 变温PL谱的结果分析 | 第49-52页 |
| 5.4.1 变温PL谱的峰值波长-温度特性分析 | 第49-51页 |
| 5.4.2 变温PL谱的半高宽-温度特性分析 | 第51-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 6 总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在校期间发表论文 | 第61页 |
