Al/Ga掺杂SnO2薄膜的制备及透明导电性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 SnO_2概述 | 第11-13页 |
| 1.2.1 SnO_2基本情况 | 第12页 |
| 1.2.2 SnO_2的特征 | 第12-13页 |
| 1.3 透明导电薄膜的种类 | 第13-15页 |
| 1.3.1 ZnO基透明导电薄膜 | 第13页 |
| 1.3.2 In_2O_3基透明导电薄膜 | 第13-14页 |
| 1.3.3 TiO_2基透明导电薄膜 | 第14-15页 |
| 1.3.4 SnO_2基透明导电薄膜 | 第15页 |
| 1.4 TCO薄膜的应用 | 第15-17页 |
| 1.4.1 在太阳能电池上的应用 | 第15-16页 |
| 1.4.2 在气敏器件中的应用 | 第16页 |
| 1.4.3 在电子屏幕上的应用 | 第16页 |
| 1.4.4 在汽车行业上的应用 | 第16-17页 |
| 1.5 薄膜材料的制备方法 | 第17-24页 |
| 1.5.1 磁控溅射 | 第17-19页 |
| 1.5.2 真空蒸镀 | 第19页 |
| 1.5.3 脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
| 1.5.4 溶胶-凝胶 | 第20-21页 |
| 1.5.5 化学气相沉积 | 第21-22页 |
| 1.5.6 物理气相沉积 | 第22-24页 |
| 2 研究内容及性能表征 | 第24-32页 |
| 2.1 薄膜材料的制备方法 | 第24-25页 |
| 2.1.1 外源等离子体溅射系统 | 第24页 |
| 2.1.2 HiTUS的基本特征 | 第24页 |
| 2.1.3 HiTUS的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜材料的制备过程 | 第25-27页 |
| 2.2.1 镀膜前的准备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 薄膜的制备过程 | 第26-27页 |
| 2.3 薄膜材料的性能表征 | 第27-32页 |
| 2.3.1 薄膜样品厚度测量 | 第27-28页 |
| 2.3.2 薄膜表面形貌和晶体结构 | 第28-29页 |
| 2.3.3 薄膜材料光学性能分析 | 第29-30页 |
| 2.3.4 薄膜材料电学性能分析 | 第30-32页 |
| 3 铝掺杂二氧化锡薄膜 | 第32-52页 |
| 3.1 氧气流量对薄膜材料性能的影响 | 第32-42页 |
| 3.1.1 沉积速率 | 第32-33页 |
| 3.1.2 薄膜XRD分析 | 第33-35页 |
| 3.1.3 薄膜SEM分析 | 第35-36页 |
| 3.1.4 薄膜TEM分析 | 第36-38页 |
| 3.1.5 薄膜XPS分析 | 第38-42页 |
| 3.2 薄膜的光学性能研究 | 第42-46页 |
| 3.3 薄膜的电学性能研究 | 第46-50页 |
| 3.3.1 薄膜的接触性能 | 第46-47页 |
| 3.3.2 薄膜的霍尔性能 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 4 镓掺杂二氧化锡薄膜 | 第52-65页 |
| 4.1 薄膜材料结构表征 | 第52-56页 |
| 4.1.1 薄膜沉积速率 | 第52-53页 |
| 4.1.2 薄膜XRD分析 | 第53-54页 |
| 4.1.3 薄膜EDS分析 | 第54-55页 |
| 4.1.4 薄膜SEM分析 | 第55-56页 |
| 4.2 薄膜的光学性能研究 | 第56-60页 |
| 4.3 薄膜的电学性能分析 | 第60-64页 |
| 4.3.1 薄膜的I-V曲线 | 第60-62页 |
| 4.3.2 薄膜的霍尔性能 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 个人简历 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
