| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第7-19页 |
| 1.1 负离子理论 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体晶体的基本概念 | 第8-10页 |
| 1.2.1 体能带理论 | 第9页 |
| 1.2.2 P型半导体硅 | 第9-10页 |
| 1.2.3 半导体的功函数概念 | 第10页 |
| 1.3 离子-表面相互作用的基本概念 | 第10-14页 |
| 1.3.1 电荷效应 | 第11-12页 |
| 1.3.2 相互作用势 | 第12-13页 |
| 1.3.3 离子-表面电荷交换 | 第13-14页 |
| 1.4 离子-表面相互作用电荷交换的研究概况 | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 实验技术与方法 | 第19-27页 |
| 2.1 实验装置 | 第19-22页 |
| 2.1.1 离子源系统 | 第19-20页 |
| 2.1.2 真空系统 | 第20-21页 |
| 2.1.3 靶室四维操纵杆 | 第21-22页 |
| 2.2 一维位置灵敏微通道板探测器 | 第22-25页 |
| 2.2.1 微通道板简介 | 第22-24页 |
| 2.2.2 位置灵敏探测器的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.3 出射粒子电荷态测量 | 第25-26页 |
| 2.4 数据获取系统 | 第26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 实验结果及分析 | 第27-45页 |
| 3.1 出射离子电荷态与入射粒子能量的关系 | 第27-34页 |
| 3.1.1 入射离子在P型Si(100)表面散射时,出射粒子电荷态随能量的变化 | 第27-30页 |
| 3.1.2 入射离子在P型Si(111)表面散射时,出射粒子电荷态随能量的变化 | 第30-32页 |
| 3.1.3 经两种Si膜散射后出射粒子电荷态与入射离子能量的依赖关系 | 第32-34页 |
| 3.2 出射离子的电荷态与入射角的关系 | 第34-43页 |
| 3.2.1 入射离子在P型Si(100)表面散射,出射粒子电荷态随入射角的变化 | 第34-39页 |
| 3.2.2 入射离子在P型Si(111)表面散射,出射粒子电荷态随入射角的.变化 | 第39-41页 |
| 3.2.3 经两种Si膜散射后出射粒子电荷态与入射角的依赖关系 | 第41-43页 |
| 3.3 结论与分析 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 总结与展望 | 第45-46页 |
| 在校期间的研究成果 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 附录 | 第48-49页 |
| 附录1：分子泵开启后加烘烤靶室真空 | 第48-49页 |
