| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景与现状 | 第9-14页 |
| 1.1.1 过渡金属硫化物的优良性质 | 第9-12页 |
| 1.1.2 二碲化钨(WTe_2)与二硒化铌(TiSe_2)的特殊性质 | 第12-14页 |
| 1.2 二维过渡金属硫化物的能带调控 | 第14-16页 |
| 1.2.1 维度改变 | 第14-15页 |
| 1.2.2 应力调节 | 第15页 |
| 1.2.3 外加电场 | 第15-16页 |
| 1.2.4 掺杂 | 第16页 |
| 1.2.5 其他 | 第16页 |
| 1.3 本文研究内容与结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 第一性原理计算原理方法 | 第18-25页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第18-25页 |
| 2.1.1 密度泛函理论 | 第20页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程 | 第20-22页 |
| 2.1.3 交换-关联泛函近似与赝势 | 第22-23页 |
| 2.1.4 VASP计算程序 | 第23-25页 |
| 第三章 WTe_2纳米带电子结构预测与调制 | 第25-36页 |
| 3.1 WTe_2基本性质 | 第25-26页 |
| 3.2 边缘态 | 第26-28页 |
| 3.3 晶格结构和电子特性 | 第28-34页 |
| 3.4 结论 | 第34-36页 |
| 第四章 电荷掺杂调制1T-TiSe_2电荷密度波转变和稳定性 | 第36-44页 |
| 4.1 1T-TiSe_2的基本性质 | 第36-39页 |
| 4.2 计算方法 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 攻读期间发表的学术论文 | 第51页 |
