显示屏用AlGaInP红光LED外延片规模化生产研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究现状与选题 | 第7-8页 |
| 1.2 高亮度红光LED简介 | 第8-9页 |
| 1.2.1 LED简介 | 第8页 |
| 1.2.2 高亮度红光LED发展 | 第8-9页 |
| 1.2.3 高亮度红光LED发展制约 | 第9页 |
| 1.3 MOCVD生长简介 | 第9-11页 |
| 1.4 研究目的与解决的主要问题 | 第11-13页 |
| 第二章 铝镓铟磷红光LED生长概述 | 第13-29页 |
| 2.1 发光二极管工作原理 | 第13-14页 |
| 2.2 铝嫁铟磷材料的物理性质 | 第14-17页 |
| 2.2.1 砷化物 | 第15页 |
| 2.2.2 磷化物 | 第15-16页 |
| 2.2.3 铝嫁铟磷材料体系简介 | 第16-17页 |
| 2.3 MOCVD简介 | 第17-20页 |
| 2.4 AlGaInP红光LED生长结构简介 | 第20-22页 |
| 2.5 外延生长所用源材料 | 第22-23页 |
| 2.5.1 GaAs衬底 | 第22页 |
| 2.5.2 金属有机化合物源MO源 | 第22-23页 |
| 2.5.3 氢化物源 | 第23页 |
| 2.6 外延测试设备介绍 | 第23-29页 |
| 2.6.1 X射线双晶衍射及其测试原理 | 第24页 |
| 2.6.2 电化学C-V及其测试原理 | 第24-25页 |
| 2.6.3 SEM及其测试原理 | 第25-28页 |
| 2.6.4 光荧光测试(PL谱测试)简介 | 第28-29页 |
| 第三章 铝镓铟磷红光LED生长优化 | 第29-47页 |
| 3.1 铠镓铟磷红光LED的DBR反射镜生长优化 | 第29-32页 |
| 3.2 MQW(多量子阱)结构优化 | 第32-38页 |
| 3.2.1 MQW应变 | 第32页 |
| 3.2.2 无应变MQW生长研究 | 第32-35页 |
| 3.2.3 应变MQW红光LED生长研究 | 第35-37页 |
| 3.2.4 MQW对数与阱垒厚度比 | 第37-38页 |
| 3.3 外延生长温度优化 | 第38-41页 |
| 3.3.1 GaAs缓冲层生长温度优化 | 第38-39页 |
| 3.3.2 铝镓铟磷材料生长温度优化 | 第39-40页 |
| 3.3.3 GaP窗口层生长温度优化 | 第40-41页 |
| 3.4 Ⅴ/Ⅲ比与掺杂优化 | 第41-43页 |
| 3.4.1 GaAs材料Ⅴ/Ⅲ比与掺杂优化 | 第41页 |
| 3.4.2 铝镓铟磷材料的Ⅴ/Ⅲ比与掺杂优化 | 第41-43页 |
| 3.4.3 GaP材料的Ⅴ/Ⅲ比与掺杂优化 | 第43页 |
| 3.5 SEM外延结构测试与厚度优化 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 625nm铝镓铟磷红光LED规模化生产 | 第47-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
