| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 三氧化钨基本性质及晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.1 WO_3的基本性质 | 第10页 |
| 1.2.2 WO_3的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.3 三氧化钨光电性能及光解水的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.3.1 光电化学法分解水制氢的基本原理 | 第11页 |
| 1.3.2 WO_3光解水 | 第11-12页 |
| 1.4 三氧化钨光阳极研究现状 | 第12-19页 |
| 1.4.1 光阳极形貌的调控 | 第13-16页 |
| 1.4.2 半导体复合式光阳极 | 第16-17页 |
| 1.4.3 光阳极表面用催化剂修饰改性 | 第17页 |
| 1.4.4 元素掺杂 | 第17-18页 |
| 1.4.5 氧空位控制 | 第18-19页 |
| 1.5 课题的选题背景与研究内容 | 第19-21页 |
| 2 实验及测试方法 | 第21-24页 |
| 2.1 实验设备仪器 | 第21页 |
| 2.2 实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.3 FTO导电玻璃基底处理 | 第22页 |
| 2.4 结构表征及性能测试 | 第22-24页 |
| 2.4.1 晶体结构测试 | 第22-23页 |
| 2.4.2 场发射扫描电子显微镜测试 | 第23页 |
| 2.4.3 EDS能谱测试 | 第23页 |
| 2.4.4 X-射线光电子能谱测试 | 第23页 |
| 2.4.5 紫外-可见吸收光谱 | 第23页 |
| 2.4.6 光电化学性质测试 | 第23-24页 |
| 3 Fe(Ⅲ)/WO_3纳米晶薄膜制备及其光电化学性质研究 | 第24-37页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 实验部分 | 第24-26页 |
| 3.2.1 WO_3纳米薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 3.2.2 Fe(Ⅲ)/WO_3薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 3.2.3 Fe(Ⅲ)/WO_3薄膜的表征 | 第26页 |
| 3.2.4 Fe(Ⅲ)/WO_3薄膜的光电化学测试 | 第26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-36页 |
| 3.3.1 薄膜表面形貌 | 第26-28页 |
| 3.3.2 薄膜表面物相组成分析 | 第28-30页 |
| 3.3.3 光吸收性能分析 | 第30-31页 |
| 3.3.4 光电化学性能检测 | 第31-32页 |
| 3.3.5 机理分析及解释 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 钴基磷酸催化剂(Co/Pi)修饰WO_3纳米晶薄膜及其光电化学性能研究 | 第37-56页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验部分 | 第37-40页 |
| 4.2.1 WO_3纳米薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.2 (Co/Pi)-WO_3薄膜的制备 | 第38页 |
| 4.2.3 光电化学沉积Co/Pi的形成机理 | 第38-40页 |
| 4.2.4 Co/Pi-WO_3薄膜的表征 | 第40页 |
| 4.2.5 Co/Pi-WO_3薄膜的光电化学测试 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-54页 |
| 4.3.1 薄膜表面形貌 | 第40-41页 |
| 4.3.2 薄膜组成分析表征 | 第41-42页 |
| 4.3.3 电沉积制备Co/Pi-WO_3薄膜的电化学析氧性能 | 第42-43页 |
| 4.3.4 不同电沉积时间Co/Pi-WO_3薄膜形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.5 不同电沉积时间Co/Pi-WO_3薄膜光电化学性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.6 电沉积制备的Co/Pi-WO_3电极的稳定性能测试 | 第47-48页 |
| 4.3.7 Mott-Schottky测试 | 第48-49页 |
| 4.3.8 光电化学沉积Co/Pi-WO_3及其光电化学性能研究 | 第49页 |
| 4.3.9 光电化学沉积时间对薄膜形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.10 光电化学沉积时间对薄膜稳态光电流的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.11 光电化学沉积时间对薄膜瞬态光电流的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.12 光电化学沉积制备的Co-Pi/WO_3薄膜电化学析氧特性 | 第54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 5 结论 | 第56页 |
| 论文创新点 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
