| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 IGBT的研究概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 由PT IGBT、NPT IGBT到FS IGBT | 第10-11页 |
| 1.1.2 由Planar IGBT到Trench IGBT | 第11-12页 |
| 1.1.3 由常规IGBT到逆导型IGBT | 第12-13页 |
| 1.2 逆导型IGBT的研究进展与产业化 | 第13-14页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 逆导型Trench FS IGBT原理分析 | 第15-30页 |
| 2.1 逆导型Trench FS IGBT的结构与电特性 | 第15-16页 |
| 2.2 Trench FS IGBT器件原理介绍 | 第16-26页 |
| 2.2.1 Trench FS IGBT静态特性 | 第17-21页 |
| 2.2.2 Trench FS IGBT的开关特性 | 第21-23页 |
| 2.2.3 Trench FS IGBT的闩锁效应 | 第23-25页 |
| 2.2.4 Trench FS IGBT的短路能力 | 第25-26页 |
| 2.3 逆导型Trench FS IGBT器件原理介绍 | 第26-29页 |
| 2.3.1 逆导型Trench FS IGBT的导通特性 | 第26-28页 |
| 2.3.2 逆导型Trench FS IGBT的阻断特性 | 第28页 |
| 2.3.3 逆导型Trench FS IGBT的关断特性 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 1200V逆导型Trench FS IGBT的设计 | 第30-52页 |
| 3.1 器件的结构设计 | 第30-32页 |
| 3.1.1 逆导型Trench FS IGBT元胞的结构设计 | 第30-31页 |
| 3.1.2 逆导型Trench FS IGBT并联结构的设计 | 第31-32页 |
| 3.2 逆导型Trench FS IGBT的工艺流程 | 第32页 |
| 3.3 逆导型Trench FS IGBT工艺参数的仿真设计 | 第32-50页 |
| 3.3.1 逆导型Trench FS IGBT元胞基础参数的初设 | 第33-34页 |
| 3.3.2 逆导型Trench FS IGBT元胞的FS层与P+集电区电参数仿真 | 第34-37页 |
| 3.3.3 逆导型Trench FS IGBT元胞区P-body的仿真 | 第37-39页 |
| 3.3.4 逆导型Trench FS IGBT元胞Trench尺寸的仿真 | 第39-41页 |
| 3.3.5 逆导型Trench FS IGBT元胞的并联仿真 | 第41-46页 |
| 3.3.6 逆导型Trench FS IGBT的动态仿真 | 第46-47页 |
| 3.3.7 逆导型Trench FS IGBT终端的仿真 | 第47-50页 |
| 3.4 逆导型Trench FS IGBT的版图设计 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 一种新型快恢复逆导型Trench FS IGBT的设计 | 第52-67页 |
| 4.1 快恢复逆导型Trench FS IGBT的结构 | 第52-53页 |
| 4.2 快恢复逆导型Trench FS IGBT的电学特性 | 第53-58页 |
| 4.2.1 器件特性 | 第53-54页 |
| 4.2.2 正面发射极电极中肖特基结构的特性 | 第54-55页 |
| 4.2.3 背面N-电阻区结构的电特性 | 第55-58页 |
| 4.3 快恢复逆导型Trench FS IGBT的仿真 | 第58-63页 |
| 4.3.1 肖特基宽度的仿真 | 第59-60页 |
| 4.3.2 N-电阻区的仿真 | 第60-63页 |
| 4.4 对比本结构与传统结构下的仿真对比 | 第63-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72-73页 |
