| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-36页 |
| ·相变存储技术 | 第11-18页 |
| ·新型存储技术 | 第12-14页 |
| ·相变存储单元的基本结构 | 第14-16页 |
| ·相变存储材料的工作原理 | 第16-18页 |
| ·相变存储材料 | 第18-24页 |
| ·相变存储材料的发展 | 第18-22页 |
| ·相变存储材料的选择标准 | 第22-24页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5基相变存储材料 | 第24-34页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5材料的结构 | 第25-27页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5基材料的性能 | 第27-28页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5基材料的掺杂 | 第28-30页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5基材料的制备 | 第30-34页 |
| ·目前存在的问题 | 第34页 |
| ·研究的内容和意义 | 第34-36页 |
| 2 Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5 | 第36-54页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5材料制备 | 第36-38页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5靶材制备工艺 | 第36-37页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜制备工艺 | 第37-38页 |
| ·相变存储材料性能的测试方法 | 第38-39页 |
| ·材料基本性质表征 | 第38页 |
| ·材料结构表征 | 第38页 |
| ·材料形貌表征和成分分析 | 第38页 |
| ·材料存储特性表征 | 第38-39页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5靶材与薄膜性能测试 | 第39-52页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5粉体测试 | 第39-40页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5靶材性能测试 | 第40-44页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜性能测试 | 第44-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 3 Ge_2Sb_2Te_5材料掺杂Sn,Bi改性 | 第54-69页 |
| ·材料制备 | 第54页 |
| ·靶材制备 | 第54页 |
| ·薄膜制备 | 第54页 |
| ·结果分析 | 第54-67页 |
| ·粉体测试 | 第54-56页 |
| ·靶材测试 | 第56-58页 |
| ·薄膜测试 | 第58-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |