| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 量子点主要性质 | 第12-13页 |
| 1.3 量子点的量子效应 | 第13-16页 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 | 第13-14页 |
| 1.3.2 介电限域效应 | 第14页 |
| 1.3.3 表面效应 | 第14-15页 |
| 1.3.4 宏观量子隧道效应 | 第15-16页 |
| 1.4 量子点的发光机理 | 第16-20页 |
| 1.4.1 能量传递 | 第16-18页 |
| 1.4.2 量子点光致发光 | 第18-19页 |
| 1.4.3 量子点电致发光 | 第19-20页 |
| 1.5 量子点在发光器件应用上的优势 | 第20-22页 |
| 1.5.1 量子点的发光颜色可调性 | 第20-21页 |
| 1.5.2 量子点的溶解性 | 第21页 |
| 1.5.3 量子点的稳定性 | 第21-22页 |
| 1.6 量子点器件发展过程结构类型、发展现状及其应用 | 第22-26页 |
| 1.6.1 量子点器件发展过程的结构类型 | 第22-24页 |
| 1.6.2 量子点器件的研究现状及其应用 | 第24-26页 |
| 1.7 本文的选题依据及主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 QLED器件的制备及其表征 | 第28-37页 |
| 2.1 正向QLED器件的制备 | 第28-30页 |
| 2.1.1 正向QLED器件所需材料 | 第28页 |
| 2.1.2 正向QLED器件制备流程 | 第28-30页 |
| 2.2 倒置QLED器件的制备 | 第30-32页 |
| 2.2.1 倒置QLED器件所需材料 | 第30页 |
| 2.2.2 ZnO纳米晶的合成 | 第30-31页 |
| 2.2.3 倒置QLED器件的制备流程 | 第31-32页 |
| 2.3 ZnO纳米晶的表征 | 第32-34页 |
| 2.4 QD的表征测试 | 第34-35页 |
| 2.5 器件的性能表征 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 正向QLED结构的性能研究 | 第37-43页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 正向QLED的制备 | 第37-38页 |
| 3.3 正向器件的性能分析和讨论 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 倒置QLED结构的性能研究 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 倒置QLED器件的制备 | 第44页 |
| 4.3 倒置器件的性能分析和讨论 | 第44-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |