| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·纳米粒子的特性 | 第8-9页 |
| ·表面效应 | 第8页 |
| ·体积效应 | 第8页 |
| ·量子尺寸效应 | 第8-9页 |
| ·纳米材料表面改性 | 第9-14页 |
| ·常用纳米粉体的处理方法 | 第9-11页 |
| ·干式法 | 第9-10页 |
| ·湿式法 | 第10-11页 |
| ·常用纳米粉体的处理剂 | 第11-13页 |
| ·小分子偶联剂 | 第11-12页 |
| ·大分子表面处理剂 | 第12-13页 |
| ·溶剂化效应简介 | 第13-14页 |
| ·论文的主要设计思想与研究内容 | 第14-17页 |
| ·设计思想 | 第14-15页 |
| ·研究内容 | 第15-17页 |
| ·大分子改性剂HFMA-MMA-VTMS的合成及纳米氮化硅的表面修饰 | 第15页 |
| ·KH570处理纳米二氧化硅过程中溶剂化效应的研究 | 第15页 |
| ·大分子改性剂对纳米粉体进行表面改性并对溶剂化效应的研究 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 大分子改性剂HFMA-MMA-VTMS的合成及纳米氮化硅的表面修饰 | 第20-36页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·实验部分 | 第21-24页 |
| ·实验原料 | 第21-22页 |
| ·实验仪器 | 第22页 |
| ·原料的精制 | 第22页 |
| ·HFMA-MMA-VTMS三元无规共聚物的合成与纯化 | 第22-23页 |
| ·纳米Si_3N_4粉体的大分子表面改性 | 第23页 |
| ·沉降试验 | 第23页 |
| ·大分子和修饰后的纳米氮化硅的结构及组成分析 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-30页 |
| ·HFMA-MMA-VTMS的表征 | 第24-27页 |
| ·FTIR表征 | 第24-25页 |
| ·核磁共振谱图分析 | 第25-26页 |
| ·HFMA-MMA-VTMS的分子量的测定 | 第26-27页 |
| ·改性后纳米粉体的表征 | 第27-30页 |
| ·纳米氮化硅在三氯甲烷中的分散稳定性 | 第27-28页 |
| ·纳米粉体的粒径分布分析 | 第28-29页 |
| ·TGA分析 | 第29-30页 |
| ·纳米Si_3N_4的TEM图像 | 第30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第三章 KH570处理纳米二氧化硅过程中溶剂化效应的研究 | 第36-47页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·实验药品 | 第37页 |
| ·实验仪器 | 第37页 |
| ·改性剂KH570包覆改性纳米SiO_2粉体 | 第37-38页 |
| ·表面改性后纳米SiO_2粉体的表征 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·纳米二氧化硅的FTIR | 第39-40页 |
| ·不同溶剂处理纳米SiO_2粉体的粒径分布 | 第40-42页 |
| ·不同溶剂处理纳米SiO_2粉体的热稳定性 | 第42-43页 |
| ·接触角分析 | 第43页 |
| ·表面元素分析 | 第43-44页 |
| ·TEM分析 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 大分子改性剂对纳米粉体进行表面改性及溶剂化效应 | 第47-66页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验部分 | 第48-50页 |
| ·实验药品 | 第48-49页 |
| ·实验仪器 | 第49页 |
| ·LMPB-g-GMA的制备 | 第49页 |
| ·LMPB-g-GMA在不同溶剂中对纳米Si_3N_4粉体的表面修饰 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-62页 |
| ·FT-IR分析 | 第50-51页 |
| ·~1HNMR分析 | 第51-52页 |
| ·纳米氮化硅在溶剂中的分散稳定性 | 第52-55页 |
| ·机理探讨 | 第55-59页 |
| ·TGA分析 | 第59-60页 |
| ·纳米氮化硅的TEM照片 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第五章 论文总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
