| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 热电效应及其原理 | 第11-13页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第12-13页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第13页 |
| 1.3 热电材料性能参数及相关的固体理论 | 第13-16页 |
| 1.3.1 Seebeck系数 | 第14页 |
| 1.3.2 电导率 | 第14-15页 |
| 1.3.3 热导率 | 第15-16页 |
| 1.4 热电材料的应用 | 第16-18页 |
| 1.5 热电材料的研究进展 | 第18-25页 |
| 1.5.1 碲化铋基热电材料 | 第19-20页 |
| 1.5.2 碲化铅热电材料 | 第20页 |
| 1.5.3 其它类型热电材料 | 第20-23页 |
| 1.5.4 低维热电材料 | 第23-25页 |
| 1.6 课题来源与主要内容 | 第25-28页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第25-26页 |
| 1.6.2 主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 碲化铋薄膜的制备与表征 | 第28-36页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 2.1.1 磁控溅射基本原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 衬底的选择与处理 | 第29-30页 |
| 2.1.3 实验步骤 | 第30页 |
| 2.2 薄膜的结构和热电性能表征 | 第30-36页 |
| 2.2.1 薄膜的结构和成分分析 | 第30-32页 |
| 2.2.2 薄膜的热电性能分析 | 第32-36页 |
| 第三章 石英玻璃衬底上Bi_2Te_3薄膜的制备及热电性能研究 | 第36-50页 |
| 3.1 前言 | 第36页 |
| 3.2 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜结构和热电性能的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.1 薄膜制备 | 第36页 |
| 3.2.2 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜结构和形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜热电性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.3 额定Te靶功率对Bi_2Te_3薄膜结构及热电性能的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.1 薄膜制备 | 第41页 |
| 3.3.2 额定Te靶功率对Bi_2Te_3薄膜结构和形貌的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.3 额定Te靶功率对Bi_2Te_3薄膜热电性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 Ar流量对Bi_2Te_3薄膜结构和形貌的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.1 薄膜制备 | 第46页 |
| 3.4.2 结果分析 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 氧化镁衬底上Bi_2Te_3薄膜的制备及热电性能研究 | 第50-68页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜结构及热电性能的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.1 薄膜制备 | 第50页 |
| 4.2.2 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜结构和形貌的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.3 沉积温度对Bi_2Te_3薄膜热电性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.3 Te靶溅射功率对Bi_2Te_3薄膜结构及热电性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.3.1 薄膜制备 | 第55-56页 |
| 4.3.2 Te靶溅射功率对Bi_2Te_3薄膜结构及形貌的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.3 Te靶溅射功率对Bi_2Te_3薄膜热电性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.4 具有高度择优取向的Bi_2Te_3薄膜的制备 | 第60-67页 |
| 4.4.1 薄膜制备 | 第60-61页 |
| 4.4.2 高度择优取向的Bi_2Te_3薄膜的结构和取向分析 | 第61-64页 |
| 4.4.3 高度择优取向的Bi_2Te_3薄膜的热电性能分析 | 第64-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 总结与展望 | 第68-70页 |
| 总结 | 第68-69页 |
| 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读硕士期间发表的文章、专利及参与基金项目 | 第80-81页 |
