半导体纳米结构的表/界面以及光电性质的调控研究
| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 导论 | 第16-38页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 半导体纳米结构及其光电性质的基本介绍 | 第17-18页 |
| 1.3 光电转换的基本理论及探究 | 第18-21页 |
| 1.3.1 细致平衡原理 | 第18-20页 |
| 1.3.2 纳米体系中的细致平衡原理探讨 | 第20-21页 |
| 1.4 纳米结构光电性质的优势和调制 | 第21-24页 |
| 1.5 纳米结构光电性质的发展趋势 | 第24-29页 |
| 1.5.1 核壳纳米结构的光电性质 | 第25-26页 |
| 1.5.2 纳米锥阵列的光电性质 | 第26-27页 |
| 1.5.3 其他新型纳米结构的光电性质 | 第27-29页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-38页 |
| 第2章 半导体纳米结构光电性质的几何和温度调制 | 第38-59页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 半导体纳米结构的基本理论 | 第39-41页 |
| 2.2.1 键驰豫理论和纳米结构的自平衡应变 | 第39-41页 |
| 2.2.2 键强与带隙关系的理论计算 | 第41页 |
| 2.3 外场调制与纳米线带隙关系的理论计算 | 第41-46页 |
| 2.3.1 尺度依赖的应变和带隙 | 第41-42页 |
| 2.3.2 形貌依赖的应变和带隙 | 第42-44页 |
| 2.3.3 温度依赖的热应变和带隙 | 第44-46页 |
| 2.4 光电转换性质的尺度和温度效应 | 第46-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 第3章 半导体纳米结构表面复合和光吸收的尺度效应 | 第59-108页 |
| 3.1 引言 | 第59-61页 |
| 3.2 核壳纳米结构的表面复合和光电转换效率 | 第61-74页 |
| 3.2.2 载流子复合和表面复合简介 | 第61-63页 |
| 3.2.2.1 载流子复合简介 | 第61-62页 |
| 3.2.2.2 表面复合简介 | 第62-63页 |
| 3.2.3 核壳纳米线光电性质的理论计算 | 第63-69页 |
| 3.2.3.1 核壳纳米线带隙的理论计算 | 第63-65页 |
| 3.2.3.2 尺度依赖的表面复合 | 第65-66页 |
| 3.2.3.3 外延层对表面复合的影响 | 第66-67页 |
| 3.2.3.4 核壳纳米线光电性质 | 第67-69页 |
| 3.2.4 核壳纳米线光电性质的结果和讨论 | 第69-74页 |
| 3.2.4.1 结合能与带隙 | 第69-71页 |
| 3.2.4.2 尺度效应与增强机制 | 第71-74页 |
| 3.3 半导体纳米锥结构光吸收和光电转换 | 第74-96页 |
| 3.3.1 半导体材料的光学吸收与带间跃迁 | 第74-78页 |
| 3.3.1.1 半导体的光吸收简介 | 第74-75页 |
| 3.3.1.2 带间跃迁 | 第75-78页 |
| 3.3.2 半导体纳米锥光电性质的理论计算 | 第78-83页 |
| 3.3.2.1 应变和带隙梯度 | 第78-80页 |
| 3.3.2.2 光吸收 | 第80-82页 |
| 3.3.2.3 光电转换 | 第82-83页 |
| 3.3.3 半导体纳米锥光电性质的结果和讨论 | 第83-96页 |
| 3.3.3.1 几何形貌对应变和带隙影响 | 第83-86页 |
| 3.3.3.2 阵列对光电性质的影响 | 第86-96页 |
| 3.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 第4章 半导体纳米结构的多重激子效应和俄歇复合 | 第108-144页 |
| 4.1 引言 | 第108-113页 |
| 4.2 半导体纳米结构多重激子效应 | 第113-125页 |
| 4.2.1 多重激子效应的理论解释 | 第113-116页 |
| 4.2.1.1 碰撞电离理论 | 第113-115页 |
| 4.2.1.2 费米统计理论 | 第115-116页 |
| 4.2.2 多重激子效应在纳米结构中的探索 | 第116-118页 |
| 4.2.2.1 多重激子效应的尺度与形貌依赖探讨 | 第116-117页 |
| 4.2.2.2 能量损失下的费米统计理论 | 第117-118页 |
| 4.2.3 多重激子效应下的光电转换性质 | 第118-125页 |
| 4.2.3.1 尺寸和形貌依赖的量子产率 | 第118-122页 |
| 4.2.3.2 多重激子效应对光电转换的影响 | 第122-125页 |
| 4.3 半导体纳米结构俄歇复合 | 第125-131页 |
| 4.3.1 纳米结构俄歇复合的理论解释 | 第125-126页 |
| 4.3.2 纳米结构俄歇复合结果与分析 | 第126-131页 |
| 4.3.2.1 尺寸和形貌依赖的俄歇复合 | 第126-129页 |
| 4.3.2.2 量子限制效应与俄歇复合的理论探索 | 第129-131页 |
| 4.4 本章小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-144页 |
| 第5章 半导体纳米线中的载流子输运性质 | 第144-157页 |
| 5.1 引言 | 第144-145页 |
| 5.2 载流子输运的理论计算 | 第145-147页 |
| 5.2.1 载流子的散射简介 | 第145页 |
| 5.2.2 载流子迁移率与尺寸和外延层的关系 | 第145-147页 |
| 5.3 载流子输运的尺度效应和核壳增强机制 | 第147-152页 |
| 5.3.1 尺度效应 | 第147-149页 |
| 5.3.2 核壳增强机制 | 第149-152页 |
| 5.4 本章小结 | 第152-153页 |
| 参考文献 | 第153-157页 |
| 第6章 总结与展望 | 第157-160页 |
| 6.1 总结 | 第157-158页 |
| 6.2 展望 | 第158-160页 |
| 研究生期间完成的论文及获奖情况 | 第160-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
