| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 传统PN结理论的局限性 | 第10-11页 |
| 1.3 多子（过剩多子）的研究综述 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文主要工作及创新点 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体中的电中性与电流连续性 | 第14-21页 |
| 2.1 电中性条件 | 第14-17页 |
| 2.1.1 热平衡下非均匀掺杂半导体的电中性 | 第14-16页 |
| 2.1.2 非平衡条件（光照）下半导体的电中性 | 第16-17页 |
| 2.2 空间电荷限制电流 | 第17-18页 |
| 2.3 电流连续性 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 PN结的新理论体系 | 第21-38页 |
| 3.1 传统PN结理论要点回顾及其缺陷 | 第21-22页 |
| 3.2 过剩多子及其存在性证明 | 第22-29页 |
| 3.2.1 过剩多子存在性的理论证明 | 第22-26页 |
| 3.2.2 数值模拟验证 | 第26-29页 |
| 3.3 过剩载流子的伴生电场 | 第29-30页 |
| 3.4 ?PN结新理论体系的建立 | 第30-35页 |
| 3.4.1 过剩载流子的分布 | 第31-32页 |
| 3.4.2 电场分布 | 第32-34页 |
| 3.4.3 电流成分及其分布 | 第34页 |
| 3.4.4 ??I-V特性表达 | 第34-35页 |
| 3.5 ?PN结电流输运的讨论 | 第35-36页 |
| 3.6 ?PN结新理论的要点总结 | 第36-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 基于新理论的PN结交流性质研究 | 第38-55页 |
| 4.1 传统理论关于PN结交流性质存在的矛盾 | 第38-40页 |
| 4.2 ?PN结新理论的交流工作模型 | 第40-48页 |
| 4.2.1 ?PN结的全电流 | 第40-41页 |
| 4.2.2 交流情况下PN结的电中性 | 第41页 |
| 4.2.3 ?PN结新理论的交流工作模型 | 第41-48页 |
| 4.3 基于新理论的电流-电压特性和电容-电压特性 | 第48-53页 |
| 4.3.1 电流-电压特性 | 第48-51页 |
| 4.3.2 电容-电压特性 | 第51-53页 |
| 4.4 ?PN结交流工作模型的要点总结 | 第53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 PN结新理论对若干结型器件的应用 | 第55-66页 |
| 5.1 光照情况下PN结的电流输运 | 第55-57页 |
| 5.2 ?PIN结中载流子的色散效应 | 第57-61页 |
| 5.3 ?BJT的高频电流增益 | 第61-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 主要结论 | 第66页 |
| 6.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |