| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-17页 |
| ·课题背景 | 第13-15页 |
| ·本文结构 | 第15-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-53页 |
| ·表面等离子体研究进展 | 第17-41页 |
| ·表面等离子体激元的基本性质 | 第17-21页 |
| ·局域表面等离子体 | 第21-28页 |
| ·局域态与传播态表面等离子体 | 第28-29页 |
| ·表面等离子体的应用 | 第29-30页 |
| ·表面等离子体增强发光 | 第30-41页 |
| ·氢化非晶碳和氢化非晶碳化硅薄膜 | 第41-49页 |
| ·氢化非晶碳薄膜的性质和应用 | 第41-45页 |
| ·氢化非晶碳化硅薄膜的性质和应用 | 第45-49页 |
| ·材料制备方法 | 第49-53页 |
| ·表面等离子体支持层的制备方法 | 第49页 |
| ·碳基薄膜制备方法 | 第49-53页 |
| 第三章 样品制备、处理与测试 | 第53-63页 |
| ·样品制备与处理设备 | 第53-56页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) | 第53-54页 |
| ·小型离子溅射仪 | 第54-55页 |
| ·管式炉 | 第55页 |
| ·快速退火炉 | 第55-56页 |
| ·实验材料 | 第56页 |
| ·PECVD原料气体 | 第56页 |
| ·磁控溅射靶材 | 第56页 |
| ·衬底材料 | 第56页 |
| ·样品制备与处理过程 | 第56-58页 |
| ·衬底清洗 | 第56-57页 |
| ·碳基薄膜的制备 | 第57页 |
| ·Ag膜的制备 | 第57-58页 |
| ·样品退火热处理 | 第58页 |
| ·样品表征 | 第58-63页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第58-59页 |
| ·台阶仪 | 第59页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第59页 |
| ·紫外可见透射光谱 | 第59页 |
| ·激光拉曼散射谱 | 第59-60页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第60页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第60页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第60页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第60-61页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第61-63页 |
| 第四章 碳基薄膜的结构及性能研究 | 第63-99页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·碳基薄膜的沉积速率 | 第63-67页 |
| ·碳基薄膜的键合及微结构 | 第67-80页 |
| ·碳基薄膜的折射率 | 第80-82页 |
| ·碳基薄膜的光学带隙 | 第82-86页 |
| ·碳基薄膜的光致发光性质 | 第86-92页 |
| ·热处理对薄膜结构和性能的影响 | 第92-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 银膜的制备及表征 | 第99-113页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·银膜溅射时间对其形貌和消光谱的影响 | 第99-102页 |
| ·银膜的溅射时间对其形貌的影响 | 第99-101页 |
| ·银膜的溅射时间对其消光谱的影响 | 第101-102页 |
| ·退火温度对银膜形貌和消光谱的影响 | 第102-105页 |
| ·退火温度对银膜形貌的影响 | 第102-103页 |
| ·退火温度对银膜消光谱的影响 | 第103-105页 |
| ·退火时间对银膜形貌和消光谱的影响 | 第105-109页 |
| ·管式炉长时间退火对银膜形貌的影响 | 第105-107页 |
| ·快速退火炉退火时间对银膜消光谱的影响 | 第107-109页 |
| ·介质环境对银膜消光谱的影响 | 第109-111页 |
| ·衬底材料对银膜形貌的影响 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 SP增强a-Si_(1-x)C_x:H薄膜发光的研究 | 第113-133页 |
| ·引言 | 第113页 |
| ·Ag颗粒尺寸对SP增强发光的影响 | 第113-120页 |
| ·实验条件 | 第113-114页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H/Ag复合薄膜的SP共振特性 | 第114-115页 |
| ·a-Si_(1-x)C_x:H/Ag复合薄膜的激发谱与发射谱研究 | 第115-116页 |
| ·Ag膜SP对a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的发光增强 | 第116-120页 |
| ·发光层中C组分对SP增强发光的影响 | 第120-126页 |
| ·实验条件 | 第120-121页 |
| ·C组分对发光层发光波长的调节 | 第121-122页 |
| ·发光层中C组分对SP增强PL性能的影响 | 第122-126页 |
| ·Ag膜退火工艺对SP增强发光的影响 | 第126-130页 |
| ·实验条件 | 第126页 |
| ·Ag膜退火温度对SP增强发光的影响 | 第126-128页 |
| ·Ag膜退火时间对SP增强发光的影响 | 第128-130页 |
| ·复合薄膜结构对SP增强发光的影响 | 第130-132页 |
| ·实验条件 | 第130页 |
| ·Ag/a-Si_(1-x)C_x:H/石英复合膜结构的SP增强发光研究 | 第130-132页 |
| ·本章小结 | 第132-133页 |
| 第七章 SP增强a-C:H薄膜发光的研究 | 第133-145页 |
| ·引言 | 第133页 |
| ·实验条件 | 第133-134页 |
| ·Ag膜形貌和复合薄膜SP共振特性 | 第134-137页 |
| ·Ag膜形貌对SP增强发光的影响 | 第137-141页 |
| ·a-C:H薄膜厚度对SP增强发光的影响 | 第141-144页 |
| ·本章小结 | 第144-145页 |
| 第八章 结论与展望 | 第145-149页 |
| ·研究结论 | 第145-147页 |
| ·研究展望 | 第147-149页 |
| 参考文献 | 第149-165页 |
| 致谢 | 第165-167页 |
| 个人简历 | 第167-169页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第169-170页 |
