基于忆阻器的记忆元件模型的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 对记忆系元件的模型进行研究的意义 | 第8-9页 |
| 1.2 基于忆阻器的记忆元件模型的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文的创新点与主要工作安排 | 第10-12页 |
| 第2章 记忆元件相互转换的条件 | 第12-22页 |
| 2.1 记忆元件的特性 | 第12-16页 |
| 2.1.1 记忆元件的符号、定义与分类 | 第12-14页 |
| 2.1.2 记忆元件的特性 | 第14-16页 |
| 2.2 忆阻器与忆容器之间转换条件的分析 | 第16-18页 |
| 2.3 记忆元件之间转换条件的分析 | 第18-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 线性变换的记忆元件模型 | 第22-38页 |
| 3.1 电流传输器简介 | 第22页 |
| 3.2 忆阻器构造的忆容器 | 第22-25页 |
| 3.2.1 忆阻-忆容转换电路 | 第23-24页 |
| 3.2.2 忆容器的基本特性 | 第24页 |
| 3.2.3 忆容器的阶跃响应特性 | 第24-25页 |
| 3.3 忆阻器构造的忆感器 | 第25-28页 |
| 3.3.1 忆阻-忆感转换电路 | 第25-26页 |
| 3.3.2 忆感器的基本特性 | 第26-27页 |
| 3.3.3 忆感器的阶跃响应特性 | 第27-28页 |
| 3.4 忆容器构造的忆感器 | 第28-31页 |
| 3.4.1 忆容-忆感转换电路 | 第28-29页 |
| 3.4.2 忆感器的基本特性 | 第29-30页 |
| 3.4.3 忆感器的阶跃响应特性 | 第30-31页 |
| 3.5 忆容器构造的忆阻器 | 第31-33页 |
| 3.5.1 忆容-忆阻转换电路 | 第31-32页 |
| 3.5.2 忆阻器的基本特性 | 第32页 |
| 3.5.3 忆阻器的斜坡信号响应特性 | 第32-33页 |
| 3.6 忆容值和忆感值的控制与调整 | 第33-37页 |
| 3.6.1 忆阻器的忆阻值控制电路 | 第33-34页 |
| 3.6.2 基于忆阻器的忆容器取值的调整 | 第34-35页 |
| 3.6.3 基于忆阻器的忆感器取值的调整 | 第35-36页 |
| 3.6.4 基于忆容器的忆感器的取值的调整 | 第36-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 非线性变换的记忆元件模型 | 第38-49页 |
| 4.1 基于非线性变换的忆阻-忆容转换 | 第38-44页 |
| 4.1.1 CCMR-VCMC 的非线性转换条件 | 第38-39页 |
| 4.1.2 CCMR-VCMC 的非线性转换电路 | 第39-40页 |
| 4.1.3 忆容器模型的特性分析 | 第40-44页 |
| 4.2 基于非线性变换的忆阻-忆感转换 | 第44-48页 |
| 4.2.1 CCMR-FCML 的非线性转换条件 | 第44页 |
| 4.2.2 CCMR-FCML 的非线性转换电路 | 第44-45页 |
| 4.2.3 忆感器模型的特性分析 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第55-56页 |
| 详细摘要 | 第56-60页 |
