| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 半导体材料实现光电催化的基本原理 | 第13-16页 |
| 1.1.1 半导体光催化反应机理 | 第13-15页 |
| 1.1.2 半导体光电催化体系的实现机理 | 第15-16页 |
| 1.2 光催化用金属氧化物的研究现状及进展 | 第16-21页 |
| 1.2.1 TiO_2光催化性能的研究及进展 | 第17-18页 |
| 1.2.2 其他金属氧化物的研究及进展 | 第18-21页 |
| 1.3 三氧化钨的基本性能 | 第21-25页 |
| 1.3.1 WO_3的晶体结构 | 第22-23页 |
| 1.3.2 电子能带结构 | 第23-24页 |
| 1.3.3 光催化性能 | 第24页 |
| 1.3.4 电致变色 | 第24-25页 |
| 1.4 纳米三氧化钨的制备方法 | 第25-29页 |
| 1.4.1 气相沉积法 | 第26-28页 |
| 1.4.2 液相合成法 | 第28-29页 |
| 1.5 研究的目的、意义及内容 | 第29-32页 |
| 1.5.1 研究目的及意义 | 第29-30页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第30-32页 |
| 第2章 实验与分析方法 | 第32-40页 |
| 2.1 实验仪器及试剂 | 第32-33页 |
| 2.1.1 化学试剂 | 第32-33页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第33页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第33-36页 |
| 2.2.1 电化学阳极氧化法 | 第34-35页 |
| 2.2.2 浸渍提拉法 | 第35-36页 |
| 2.2.3 热处理工艺 | 第36页 |
| 2.3 材料的微观结构及成分分析 | 第36-37页 |
| 2.3.1 材料的微观结构 | 第36页 |
| 2.3.2 材料的物相分析 | 第36-37页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第37页 |
| 2.4 材料的性能检测 | 第37-40页 |
| 2.4.1 UV-Vis光谱测试 | 第37页 |
| 2.4.2 电化学性能测试 | 第37-40页 |
| 第3章 WO_3纳米多孔薄膜的制备及性能 | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 多孔WO_3的制备工艺 | 第40-44页 |
| 3.2.1 NH_4F浓度对对WO_3形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.2 阳极氧化电压对WO_3形貌的影响 | 第42-44页 |
| 3.3 热处理工艺对WO_3多孔薄膜的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.1 热处理工艺及物相分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 热处理工艺对薄膜样品形貌的影响 | 第45页 |
| 3.4 WO_3薄膜的光学性能 | 第45-47页 |
| 3.5 WO_3多孔薄膜的光电化学性能 | 第47-50页 |
| 3.5.1 WO_3多孔薄膜的LSV曲线测量 | 第47-48页 |
| 3.5.2 氧化还原峰 | 第48-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 WO_3及TiO_2负载WO_3电极原位储能 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验过程 | 第53-54页 |
| 4.3 WO_3原位储能性质分析 | 第54-57页 |
| 4.3.1 光暗电流分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 i-t电流曲线分析 | 第55-57页 |
| 4.4 WO_3原位储能对其物相的影响 | 第57-60页 |
| 4.4.1 WO_3原位储能对其薄膜颜色的影响 | 第57-58页 |
| 4.4.2 XRD图谱分析 | 第58-59页 |
| 4.4.3 X射线光电子能谱分析 | 第59-60页 |
| 4.5 WO_3薄膜的光电储能性质分析 | 第60-61页 |
| 4.6 TiO_2/WO_3薄膜的光电化学储能性质 | 第61-64页 |
| 4.6.1 制备及热处理工艺 | 第62-63页 |
| 4.6.2 TiO_2/WO_3多孔薄膜的物相与吸光特性 | 第63页 |
| 4.6.3 TiO_2/WO_3多孔薄膜的光电化学性能 | 第63-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读学位期间发表论文情况 | 第80页 |
