非补偿n-p共掺杂ZnO薄膜结构和性质的研究
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 综述 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的结构和性质 | 第10-11页 |
| 1.3 掺杂ZnO磁性、输运和光学性质的研究 | 第11-15页 |
| 1.3.1 掺杂ZnO磁性及输运性质的研究 | 第11-13页 |
| 1.3.2 掺杂ZnO光学性质的研究 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文的思路及安排 | 第15-17页 |
| 2 样品制备及测试方法 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 靶材的制备与基片处理 | 第17-19页 |
| 2.3 薄膜样品的制备 | 第19-20页 |
| 2.4 样品结构与性能表征 | 第20-25页 |
| 2.4.1 薄膜样品厚度测试 | 第20-21页 |
| 2.4.2 薄膜样品结构表征 | 第21页 |
| 2.4.3 薄膜样品微观结构测试 | 第21页 |
| 2.4.4 薄膜样品组成及价态分析 | 第21-22页 |
| 2.4.5 薄膜样品光学性能测试 | 第22页 |
| 2.4.6 薄膜样品磁学性能测试 | 第22-23页 |
| 2.4.7 薄膜样品输运性质测试 | 第23-25页 |
| 2.5 薄膜的微加工技术（光刻） | 第25-27页 |
| 3 非补偿V/N共掺杂ZnO薄膜的研究 | 第27-41页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验方法 | 第27-28页 |
| 3.3 V/N共掺杂对ZnO薄膜结构的影响 | 第28-32页 |
| 3.4 V/N共掺杂对ZnO薄膜输运性质的影响 | 第32-35页 |
| 3.5 V/N共掺杂对ZnO薄膜磁性质的影响 | 第35-37页 |
| 3.6 V/N共掺杂对ZnO薄膜光学性质的影响 | 第37-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 非补偿Cr/N共掺杂ZnO薄膜的研究 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验方法 | 第41页 |
| 4.3 Cr/N共掺杂对ZnO薄膜结构的影响 | 第41-47页 |
| 4.4 Cr/N共掺杂对ZnO薄膜磁性质的影响 | 第47-49页 |
| 4.5 Cr/N共掺杂对ZnO薄膜光学性质的影响 | 第49-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-55页 |
| 5 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在学期间的研究成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
