| Abbreviations | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| ACKNOWLEDGEMENTS | 第7页 |
| CHAPTER 1 | 第8-15页 |
| 1.1 Background | 第8-9页 |
| 1.2 Topological Materials | 第9-11页 |
| 1.3 BISMUTH SELENIDE (Bi_2Se_3) | 第11-14页 |
| Summary of the chapter | 第14-15页 |
| CHAPTER 2 METHODS AND MATERIALS | 第15-28页 |
| 2.1 Experimental Apparatus | 第15-20页 |
| 2.1.1 Chemical Vapor Deposition | 第15页 |
| 2.1.2 CVD Apparatus | 第15-16页 |
| 2.1.3 Scanning electron microscope (SEM) | 第16-17页 |
| 2.1.4 Atomic Force Microscopy (AFM) | 第17-18页 |
| 2.1.5 Photolithography | 第18-20页 |
| 2.2 SAMPLES PREPRATION | 第20-24页 |
| 2.2.1 Preparation of Au- covered silicon substrates | 第20-22页 |
| 2.2.2 Growth procedure | 第22-23页 |
| 2.2.3 Growth Conditions | 第23-24页 |
| 2.3 DEVICE PREPRATION | 第24-27页 |
| 2.3.1 Spin coating | 第24页 |
| 2.3.2 Photoresist | 第24-25页 |
| 2.3.3 Photo mask | 第25-26页 |
| 2.3.4 Cleaning | 第26页 |
| 2.3.5 Photoresist application | 第26页 |
| 2.3.6 Exposure and developing | 第26-27页 |
| Summary of the chapter | 第27-28页 |
| CHAPTER 3 RESULTS AND DISCUSSION | 第28-47页 |
| 3.1 CHARACTERIZATION OF SAMPLES | 第28-46页 |
| 3.1.1 SEM results | 第28-38页 |
| 3.1.2 AFM results | 第38-42页 |
| 3.1.3 Lithography results | 第42-44页 |
| 3.1.4 EBL Results | 第44-46页 |
| Summary of the chapter | 第46-47页 |
| CONCLUSION | 第47-48页 |
| BIBLIOGRAPHY | 第48-54页 |
| FUTURE PROSPECTS | 第54-59页 |
