| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| 1.1 论文的研究背景、意义 | 第14-15页 |
| 1.2 论文的结构安排 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 光纤通信系统中的光电集成器件 | 第21-61页 |
| 2.1 光电子集成器件的研究进展 | 第22-29页 |
| 2.2 光电子集成器件的集成结构 | 第29-37页 |
| 2.2.1 基于Inter-Chip的片内集成结构 | 第29-32页 |
| 2.2.2 基于On-Chip的片间集成结构 | 第32-35页 |
| 2.2.3 基于Flip-Chip的倒装集成结构 | 第35-36页 |
| 2.2.4 基于3D-Chip的立体集成结构 | 第36-37页 |
| 2.3 光电子集成器件中的光互联结构 | 第37-41页 |
| 2.3.1 光电子集成器件中光互联结构的分类 | 第39-41页 |
| 2.3.2 光电子集成器件中光互联面临的问题 | 第41页 |
| 2.4 光纤通信系统中接收端部分的光探测器 | 第41-51页 |
| 2.4.1 PN类型的光探测器 | 第42-43页 |
| 2.4.2 PIN类型的光探测器 | 第43-46页 |
| 2.4.3 Waveguide类型的光探测器 | 第46-49页 |
| 2.4.4 Uni-Traveling-Carrier类型的光探测器 | 第49-50页 |
| 2.4.5 APD类型的光探测器 | 第50页 |
| 2.4.6 MSM类型的光探测器 | 第50-51页 |
| 2.5 小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 第三章 Si基长波长OEIC接收机前端的研制 | 第61-94页 |
| 3.1 光电器件集成兼容工艺 | 第62-65页 |
| 3.1.1 树脂热键合集成工艺 | 第64-65页 |
| 3.1.2 共晶金属键合集成工艺 | 第65页 |
| 3.2 InP基长波长光探测器 | 第65-79页 |
| 3.2.1 InP基长波长光探测器的设计 | 第65-72页 |
| 3.2.2 InP基长波长光探测器的制备 | 第72-76页 |
| 3.2.3 InP基长波长光探测器的测试 | 第76-79页 |
| 3.3 Si基长波长OEIC接收机前端 | 第79-89页 |
| 3.3.1 Si基CMOS芯片的特性及功能 | 第79-80页 |
| 3.3.2 Si基长波长OEIC接收机前端的TO-CAN封装 | 第80-81页 |
| 3.3.3 Si基长波长OEIC接收机前端的制备 | 第81-82页 |
| 3.3.4 Si基长波长OEIC接收机前端的测试 | 第82-89页 |
| 3.4 小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第四章 多通道阵列光电集成接收组件的制备 | 第94-112页 |
| 4.1 InP基长波长光探测器的制备 | 第95-97页 |
| 4.1.1 InP基长波长光探测器的设计 | 第95页 |
| 4.1.2 InP基长波长光探测器的制备 | 第95-97页 |
| 4.2 Si基CMOS芯片功能特性及封装 | 第97-102页 |
| 4.2.1 Si基CMOS芯片功能特性 | 第97-98页 |
| 4.2.2 多通道阵列光电集成接收组件的封装 | 第98-100页 |
| 4.2.3 多通道阵列光电集成接收组件的封装分析 | 第100-102页 |
| 4.3 多通道阵列光电集成接收组件 | 第102-107页 |
| 4.3.1 多通道阵列光电集成接收组件的制备 | 第102-104页 |
| 4.3.2 多通道阵列光电集成接收组件的测试 | 第104-105页 |
| 4.3.3 多通道阵列光电集成接收组件性能的改进 | 第105-107页 |
| 4.4 小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 第五章 基于能带及掺杂渐变的零偏压光探测器研究 | 第112-139页 |
| 5.1 零偏压光探测器 | 第112-115页 |
| 5.2 InP基长波长零偏压光探测器的理论分析 | 第115-123页 |
| 5.2.1 基本方程 | 第115-116页 |
| 5.2.2 物理模型 | 第116-117页 |
| 5.2.3 器件仿真 | 第117-123页 |
| 5.3 InP基长波长零偏压光探测器制备 | 第123-128页 |
| 5.4 InP基长波长零偏压光探测器的测试 | 第128-132页 |
| 5.4.1 光探测器的暗电流 | 第128-129页 |
| 5.4.2 光探测器的量子效率 | 第129-130页 |
| 5.4.3 光探测器的频率响应 | 第130-132页 |
| 5.6 小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-139页 |
| 第六章 高速光探测器电极设计及后工艺改进 | 第139-151页 |
| 6.1 高速光探测器的电极设计 | 第140-145页 |
| 6.2 高速光探测器的工艺改进 | 第145-148页 |
| 6.3 小结 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-151页 |
| 第七章 基于晶片键合技术的InP/Si双基复合衬底研究 | 第151-168页 |
| 7.1 晶圆级键合技术 | 第151-158页 |
| 7.1.1 晶片键合的表面特性 | 第152-156页 |
| 7.1.2 晶片键合技术 | 第156-158页 |
| 7.2 Si/InP双基复合衬底实验 | 第158-165页 |
| 7.2.1 晶圆清洗技术 | 第158-160页 |
| 7.2.2 Si/InP晶片键合实验 | 第160-162页 |
| 7.2.3 键合表面特性测试 | 第162-164页 |
| 7.2.4 讨论 | 第164-165页 |
| 7.3 小结 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-168页 |
| 第八章 总结 | 第168-170页 |
| 致谢 | 第170-172页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第172-173页 |
