| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 量子点的研究概述 | 第10-12页 |
| 1.2 纳米线的研究概述 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的结构安排 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-21页 |
| 第二章 有限元方法 | 第21-28页 |
| 2.1 连续弹性理论 | 第21-23页 |
| 2.2 有限元方法介绍 | 第23-26页 |
| 2.2.1 有限元方法 | 第24页 |
| 2.2.2 有限元方法处理应力应变问题 | 第24-25页 |
| 2.2.3 有限元方法的软件实现 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 InAs/GaAs量子点的电子结构 | 第28-44页 |
| 3.1 序言 | 第28-29页 |
| 3.2 K·P微扰理论 | 第29-34页 |
| 3.2.1 K·P微扰的一般理论 | 第29-31页 |
| 3.2.2 应变对量子点KP哈密顿量的影响 | 第31-34页 |
| 3.3 InAs/GaAs量子点应变分布分析 | 第34-40页 |
| 3.3.1 模型建立 | 第34页 |
| 3.3.2 应力应变分析 | 第34-37页 |
| 3.3.3 带边结构分析 | 第37-38页 |
| 3.3.4 电子结构分析 | 第38-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第四章 InGaN/GaN核壳纳米线的应变弛豫与组分分布 | 第44-63页 |
| 4.1 序言 | 第44-47页 |
| 4.1.1 纳米线组分分布研究现状 | 第45-46页 |
| 4.1.2 瞬态纳米线生长模型 | 第46-47页 |
| 4.2 吉布斯自由能与移动渐近线法 | 第47-50页 |
| 4.2.1 吉布斯自由能 | 第48页 |
| 4.2.2 移动渐近线优化方法 | 第48-50页 |
| 4.3 InGaN/GaN核壳纳米线组分分布分析 | 第50-60页 |
| 4.3.1 InGaN/GaN核壳纳米线有限元模型 | 第51-54页 |
| 4.3.2 InGaN/GaN核壳纳米线应变能分析 | 第54-56页 |
| 4.3.3 InGaN/GaN核壳纳米线组分分析 | 第56-60页 |
| 4.4 小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 论文总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 论文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第66页 |
