| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 基于石墨碳的纳米材料 | 第10-15页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第11-13页 |
| 1.1.2 氢化石墨烯 | 第13-15页 |
| 1.2 基于二硫化钼的纳米材料 | 第15-20页 |
| 1.2.1 单层二硫化钼（monolayer MoS_2） | 第15-18页 |
| 1.2.2 二硫化钼纳米带（MoS_2 nanoribbons） | 第18-20页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第20-22页 |
| 第二章 计算理论基础 | 第22-29页 |
| 2.1 计算材料模拟的产生与发展 | 第22页 |
| 2.2 理论基础 | 第22-27页 |
| 2.2.1 量子力学方程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第24页 |
| 2.2.4 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.3 本文中使用的计算软件介绍 | 第27-29页 |
| 第三章 石墨烯单面氢化的结构稳定性及电子结构的研究 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 计算方法 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-40页 |
| 3.3.1 低覆盖率的石墨烯单面氢化 | 第30-33页 |
| 3.3.2 单面氢化石墨烯结构的稳定性研究 | 第33-37页 |
| 3.3.3 单面氢化对石墨烯电子结构的影响和调控 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 二硫化钼纳米带的边缘功能化和电子结构的研究 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-54页 |
| 4.3.1 锯齿形二硫化钼纳米带边缘功能化的结构、电子性质和磁性的研究 | 第45-51页 |
| 4.3.2 扶手型二硫化钼纳米带边缘功能化的结构、电子性质和磁性的研究 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-67页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
