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基于n-back范式工作记忆的事件相关电位研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-14页
    1.1 工作记忆概述第9-10页
    1.2 n-back范式第10-11页
    1.3 事件相关电位第11-12页
    1.4 工作记忆的事件相关电位研究第12-14页
第2章 实验设计第14-22页
    2.1 实验设备第14-16页
    2.2 实验对象第16页
    2.3 实验素材第16-17页
    2.4 实验流程第17-22页
第3章E-Prime刺激程序设计第22-35页
    3.1 E-Studio界面第22-23页
    3.2 E-Studio编程设计第23-34页
        3.2.1 程序流程第23-24页
        3.2.2 程序编辑第24-34页
    3.3 调试及执行第34-35页
第4章 数据预处理第35-40页
    4.1 行为数据的预处理第35-36页
    4.2 脑电信号的预处理第36-40页
第5章 数据分析第40-48页
    5.1 行为数据分析第40-41页
    5.2 ERP数据分析第41-48页
        5.2.1 P300峰值及潜伏期方差分析第41-44页
        5.2.2 差异波P800峰值及潜伏期方差分析第44-48页
第6章 讨论与展望第48-51页
    6.1 讨论第48-49页
    6.2 展望第49-51页
参考文献第51-55页
致谢第55页

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