| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 电存储的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 调节器件的存储性能的方法 | 第10-22页 |
| 1.2.1 基于分子结构设计来调节器件的性能及进制 | 第10-13页 |
| 1.2.2 基于材料的复合来调节器件的性能及进制 | 第13-16页 |
| 1.2.3 基于改变成膜工艺来调节器件的存储特性 | 第16-18页 |
| 1.2.4 基于光电响应来调节器件的性能 | 第18-19页 |
| 1.2.5 基于层层组装的方法来调节器件的性能及进制 | 第19-22页 |
| 1.3 本论文的研究目的意义 | 第22-24页 |
| 1.3.1 本论文选题的目的意义 | 第22页 |
| 1.3.2 本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 1.3.3 本论文的创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 层层组装制备多进制存储器件的研究 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-27页 |
| 2.2.1 实验原料与试剂 | 第25页 |
| 2.2.2 测试方法 | 第25页 |
| 2.2.3 聚合物PAzopy的合成 | 第25-26页 |
| 2.2.4 电存储器件制备 | 第26-27页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第27-33页 |
| 2.3.1 光学和电化学性能 | 第27-30页 |
| 2.3.2 薄膜形貌 | 第30-31页 |
| 2.3.3 电流-电压（I-V）性能 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于偶氮喹啉小分子的存储器件性能研究 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验原料与试剂 | 第35页 |
| 3.2.2 测试方法 | 第35-36页 |
| 3.2.3 HQBA和HQBM的合成 | 第36-37页 |
| 3.2.4 存储器件的制备 | 第37页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第37-46页 |
| 3.3.1 光学和电学性能 | 第38-40页 |
| 3.3.2 薄膜形貌 | 第40-42页 |
| 3.3.3 电流-电压（I-V）性能 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于氧化铝水合物制备的存储器件及其性能研究 | 第47-52页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 实验部分 | 第47-48页 |
| 4.2.1 实验原料与试剂 | 第47页 |
| 4.2.2 测试方法 | 第47-48页 |
| 4.2.3 电存储器件制备 | 第48页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第48-51页 |
| 4.3.1 光学和电学性能 | 第48-50页 |
| 4.3.2 薄膜形貌 | 第50页 |
| 4.3.3 电流-电压（I-V）性能 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文总结 | 第52-53页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 存在的问题和展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表以及整理的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
