| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 研究背景及课题的目的和意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-27页 |
| 1.2.1 二硫化钼的结构、性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 二硫化钼的制备方法 | 第11-16页 |
| 1.2.3 二硫化钼器件的应用 | 第16-20页 |
| 1.2.4 二硫化钼的修饰 | 第20-27页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第29-33页 |
| 2.1 实验所用试剂及仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第29-30页 |
| 2.2 实验方法 | 第30-33页 |
| 2.2.1 拉曼光谱的表征 | 第30-31页 |
| 2.2.2 光学显微镜的表征 | 第31页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜的表征 | 第31页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.2.5 原子力分析 | 第32页 |
| 2.2.6 吸光度测试 | 第32页 |
| 2.2.7 光电性能测试 | 第32-33页 |
| 第3章 单层二硫化钼的制备表征和电学性能测试 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 单层二硫化钼的制备 | 第33-39页 |
| 3.2.1 温度对生长单层二硫化钼的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 时间对生长单层二硫化钼的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 流量对生长单层二硫化钼的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.4 三氧化钼粉到Si/SiO2衬底的距离对生长单层二硫化钼的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.5 三氧化钼粉用量对生长单层二硫化钼的影响 | 第39页 |
| 3.3 单层二硫化钼的表征 | 第39-42页 |
| 3.4 单层二硫化钼的电子输运性能 | 第42-43页 |
| 3.4.1 单层二硫化钼场效应管的构筑 | 第42页 |
| 3.4.2 单层二硫化钼场效应晶体管的性能测试 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 单层二硫化钼光探测器的敏化增强 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 不同染料对单层二硫化钼光电性能的增强 | 第45-55页 |
| 4.2.1 染料敏化单层二硫化钼光电器件的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.2 甲基橙对单层二硫化钼光电性能的增强 | 第46-50页 |
| 4.2.3 罗丹明 6G对单层二硫化钼光探测器增强 | 第50-52页 |
| 4.2.4 亚甲基蓝对单层二硫化钼光探测器的增强 | 第52-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 染料敏化二硫化钼光探测器增强机理研究 | 第56-67页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 染料分子在单层二硫化钼表面的拉曼增强分析 | 第56-58页 |
| 5.3 染料修饰单层二硫化钼的原子力分析 | 第58-59页 |
| 5.4 染料分子对单层二硫化钼光电性能机制研究 | 第59-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及申请专利 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
