| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题研究的背景 | 第9页 |
| 1.1.2 论文的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 SOC存储子系统高层建模的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 DDR控制器访存调度算法的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 DDR控制器页策略的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14页 |
| 1.4 论文组织 | 第14-17页 |
| 第二章 存储系统的工作原理 | 第17-31页 |
| 2.1 存储系统概述 | 第17页 |
| 2.2 DDR颗粒简介 | 第17-19页 |
| 2.2.1 半导体存储器DRAM | 第17-18页 |
| 2.2.2 DDR颗粒的工作过程 | 第18-19页 |
| 2.3 DDR存储控制器 | 第19-29页 |
| 2.3.1 宏观调度 | 第20-22页 |
| 2.3.2 微观调度 | 第22-28页 |
| 2.3.3 DRAMSim2中访存调度策略存在的问题 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 DDR控制器访存调度算法和页策略优化设计 | 第31-41页 |
| 3.1 基于轮询机制调度算法的改进 | 第31-34页 |
| 3.1.1 DRAMSim2中实现的轮询调度算法 | 第31-32页 |
| 3.1.2 改进的基于轮询机制的优先级调度算法 | 第32-34页 |
| 3.2 DRAMSIM2页策略改进设计 | 第34-39页 |
| 3.2.1 感知放大器的设计改进依据 | 第34页 |
| 3.2.2 DRAMSim2的页策略 | 第34-35页 |
| 3.2.3 可适配动态页策略 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 DDR控制器访存调度算法和页策略的改进设计与建模 | 第41-57页 |
| 4.1 DRAMSIM2的原理与结构 | 第41-47页 |
| 4.1.1 DRAMSim2模拟器简介 | 第41页 |
| 4.1.2 DRAMSim2的结构 | 第41-43页 |
| 4.1.3 DRAMSim2的基本参数 | 第43-47页 |
| 4.2 DRAMSIM2的核心类设计 | 第47-50页 |
| 4.2.1 CPU模型类 | 第47-48页 |
| 4.2.2 DDR控制器类 | 第48-50页 |
| 4.2.3 DDR颗粒类 | 第50页 |
| 4.3 针对DRAMSIM2命令队列的优化设计 | 第50-53页 |
| 4.4 编码实现 | 第53-56页 |
| 4.4.1 基于轮询机制的优先级调度算法的编码实现 | 第53-54页 |
| 4.4.2 可适配的动态页策略的编码实现 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 模型的仿真验证与分析 | 第57-69页 |
| 5.1 仿真环境搭建 | 第57-59页 |
| 5.1.1 仿真环境 | 第57-58页 |
| 5.1.2 基准测试程序简介 | 第58-59页 |
| 5.2 测试结果及分析 | 第59-68页 |
| 5.2.1 DRAMSim2原始版本性能分析 | 第59-60页 |
| 5.2.2 仿真原理介绍 | 第60-61页 |
| 5.2.3 访存调度算法的改进设计测试 | 第61-63页 |
| 5.2.4 页策略改进的测试 | 第63-66页 |
| 5.2.5 测试结果与设计指标的对比 | 第66-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69页 |
| 6.2 展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者的成果 | 第77页 |
