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生物分子与共轭聚合物双层结构有机电存储器的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第10-25页
    1.1 研究背景第10-12页
    1.2 有机电存储器第12-22页
        1.2.1 有机电存储器件的基本概念第12-14页
        1.2.2 有机电存储器件的结构第14-15页
        1.2.3 有机电存储材料第15页
        1.2.4 有机电存储器件的特征I-V曲线第15-17页
        1.2.5 有机电存储器的存储机理第17-22页
    1.3 基于生物材料的有机电存储器件第22-24页
    1.4 本论文的研究内容及意义第24-25页
第2章 实验材料和方法第25-32页
    2.1 实验材料第25-27页
        2.1.1 实验所需材料第25页
        2.1.2 生物材料与MEH-PPV第25-27页
    2.2 有机电存储器件的制备第27-30页
        2.2.1 实验仪器与设备第27页
        2.2.2 器件制备过程第27-30页
    2.3 有机电存储器件的表征第30-31页
        2.3.1 器件的电性能测试第30页
        2.3.2 器件的结构和薄膜表征第30-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第3章 电泳法制备生物分子层电存储器第32-38页
    3.1 引言第32页
    3.2 电泳法制备生物分子层第32-34页
        3.2.1 电泳制备过程及其原理第32-33页
        3.2.2 氨基酸/ITO界面的SEM分析第33-34页
    3.3 电泳法生长氨基酸的器件第34-35页
        3.3.1 器件的I-V曲线分析第34-35页
    3.4 改变工艺参数对器件的影响第35-37页
        3.4.1 天冬氨酸生长时间对器件的影响第35-37页
    3.5 本章小结第37-38页
第4章 水热法制备生物分子层电存储器第38-62页
    4.1 引言第38页
    4.2 水热法制备生物分子层第38-41页
        4.2.1 水热法制备过程及其原理第38-39页
        4.2.2 生物分子/ITO界面的SEM分析第39-41页
    4.3 无生物分子层的器件第41页
    4.4 水热法生长双甘氨二肽的器件第41-47页
        4.4.1 器件的I-V曲线分析第41-42页
        4.4.2 器件的性能参数测试与分析第42-44页
        4.4.3 双甘氨二肽生长时间对器件的影响第44-45页
        4.4.4 聚合物MEH-PPV层厚度对器件的影响第45-46页
        4.4.5 不同聚合物器件的研究第46-47页
    4.5 水热法生长丙氨酸的器件第47-51页
        4.5.1 器件的I-V曲线分析第47-48页
        4.5.2 器件的性能参数测试与分析第48-49页
        4.5.3 丙氨酸生长时间对器件的影响第49-50页
        4.5.4 聚合物MEH-PPV层厚度对器件的影响第50-51页
    4.6 水热法生长天冬氨酸的器件第51-55页
        4.6.1 器件的I-V曲线分析第51-52页
        4.6.2 器件的性能参数测试与分析第52-53页
        4.6.3 天冬氨酸生长时间对器件的影响第53-54页
        4.6.4 聚合物MEH-PPV层厚度对器件的影响第54-55页
    4.7 水热法生长谷氨酸的器件第55-56页
        4.7.1 器件的I-V曲线分析第55-56页
        4.7.2 器件的响应速度和保持性能第56页
    4.8 器件的存储原理第56-60页
    4.9 本章小结第60-62页
第5章 旋涂法制备生物分子层电存储器第62-74页
    5.1 引言第62页
    5.2 旋涂法制备生物分子层第62-63页
        5.2.1 制备过程第62页
        5.2.2 旋涂制备生物分子薄膜的形态第62-63页
    5.3 旋涂法制备双甘氨二肽的器件第63-66页
        5.3.1 器件的I-V曲线分析第63-64页
        5.3.2 器件的性能参数测试与分析第64-65页
        5.3.3 双甘氨二肽的浓度对器件的影响第65-66页
    5.4 旋涂法制备牛血清蛋白的器件第66-68页
        5.4.1 器件的I-V曲线分析第66-67页
        5.4.2 器件的响应速度和保持性能第67-68页
    5.5 旋涂法制备天冬氨酸的器件第68-69页
        5.5.1 器件的I-V曲线分析第68页
        5.5.2 器件的响应速度和保持性能第68-69页
    5.6 旋涂法制备谷氨酸的器件第69-71页
        5.6.1 器件的I-V曲线分析第69-70页
        5.6.2 器件的响应速度和保持性能第70-71页
    5.7 旋涂生物分子层器件的存储原理第71-73页
    5.8 本章小结第73-74页
结论第74-75页
参考文献第75-81页
致谢第81页

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