摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
注释表 | 第19-20页 |
第一章 绪论 | 第20-39页 |
1.1 引言 | 第20页 |
1.2 纳米材料的光电性能 | 第20-28页 |
1.2.1 光学性能 | 第21-22页 |
1.2.2 电学性能 | 第22-23页 |
1.2.3 局域表面等离子体共振性能 | 第23-28页 |
1.3 纳米材料溶液工艺成膜方法 | 第28-30页 |
1.4 纳米材料在光电器件中的应用 | 第30-37页 |
1.4.1 发光二极管 | 第30-32页 |
1.4.2 太阳能电池 | 第32-33页 |
1.4.3 薄膜晶体管 | 第33-34页 |
1.4.4 光电探测器 | 第34-35页 |
1.4.5 阻变存储器 | 第35-37页 |
1.5 本文的内容安排 | 第37-39页 |
第二章 通用一锅法制备高性能TCO纳米晶墨水 | 第39-71页 |
2.1 引言 | 第39-40页 |
2.2 实验方法 | 第40-42页 |
2.2.1 透明导电氧化物纳米晶墨水的制备 | 第40-41页 |
2.2.2 基于TCO纳米晶电极的OLEDs器件组装 | 第41页 |
2.2.3 表征方法 | 第41-42页 |
2.3 结果与讨论 | 第42-69页 |
2.3.1 普适性一锅法制备TCO纳米晶 | 第42-50页 |
2.3.2 一锅法制备纳米晶的影响因素 | 第50-53页 |
2.3.3 ITO纳米晶形状依赖的LSPR特性 | 第53-60页 |
2.3.4 透明导电氧化物纳米晶组装薄膜的光电性能 | 第60-67页 |
2.3.5 透明导电氧化物纳米晶电极在OLEDs中的应用 | 第67-69页 |
2.4 本章小结 | 第69-71页 |
第三章 高稳定的Cu@Cu-Ni核壳纳米线柔弹透明电极 | 第71-94页 |
3.1 引言 | 第71-72页 |
3.2 实验方法 | 第72-74页 |
3.2.1 Cu纳米线墨水的制备 | 第72页 |
3.2.2 基于Cu纳米线柔弹电极的制备 | 第72-73页 |
3.2.3 PLEDs器件组装 | 第73页 |
3.2.4 表征方法 | 第73-74页 |
3.3 结果与讨论 | 第74-93页 |
3.3.1 Cu纳米线的形貌与结构分析 | 第74-79页 |
3.3.2 Cu纳米线电极的光电性能 | 第79-82页 |
3.3.3 Cu纳米线电极稳定性评估 | 第82-85页 |
3.3.4 Cu纳米线作为导电通路在OLEDs中的应用 | 第85-88页 |
3.3.5 全溶液加工基于Cu纳米线电极的柔性PLEDs | 第88-93页 |
3.4 本章小结 | 第93-94页 |
第四章 溶液工艺Ag2S纳米晶墨水的柔性阻变存储器 | 第94-105页 |
4.1 引言 | 第94-95页 |
4.2 实验方法 | 第95页 |
4.2.1 Ag_2S纳米晶墨水的制备 | 第95页 |
4.2.2 组装Ag_2S纳米晶墨水阻变存储器 | 第95页 |
4.2.3 表征方法 | 第95页 |
4.3 结果与讨论 | 第95-104页 |
4.3.1 Ag_2S纳米晶的形貌与结构分析 | 第95-97页 |
4.3.2 Ag_2S纳米晶组装薄膜 | 第97-99页 |
4.3.3 Ag_2S纳米晶忆阻器性能 | 第99-103页 |
4.3.4 忆阻器稳定性评估 | 第103-104页 |
4.4 本章小结 | 第104-105页 |
第五章 溶液工艺高效可转移的ZnO纳米线-on-纳米片场发射体 | 第105-118页 |
5.1 引言 | 第105页 |
5.2 实验方法 | 第105-108页 |
5.2.1 ZnO WOP墨水的制备及转移 | 第106-107页 |
5.2.2 组装ZnO WOP场发射器件 | 第107页 |
5.2.3 表征方法 | 第107-108页 |
5.3 结果与讨论 | 第108-117页 |
5.3.1 ZnO WOP的形貌与结构分析 | 第108-110页 |
5.3.2 ZnO WOP的生长机制 | 第110-112页 |
5.3.3 ZnO WOP的转移特性 | 第112-113页 |
5.3.4 ZnO WOP的场发射性能 | 第113-117页 |
5.4 本章小结 | 第117-118页 |
第六章 全文总结与展望 | 第118-121页 |
6.1 结论 | 第118-119页 |
6.2 工作展望 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-140页 |
致谢 | 第140-142页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第142-143页 |