| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 缩略词 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 纳米材料 | 第16-17页 |
| 1.2 金纳米材料 | 第17页 |
| 1.3 金纳米棒 | 第17-28页 |
| 1.3.1 金纳米棒的制备方法 | 第17-23页 |
| 1.3.2 金纳米棒的生长机理 | 第23-26页 |
| 1.3.3 金纳米棒的应用 | 第26-28页 |
| 1.4 当前金纳米棒的研究热点和本论文的研究内容 | 第28-30页 |
| 1.4.1 研究热点 | 第28页 |
| 1.4.2 本论文的研究安排 | 第28-30页 |
| 第二章 贵金属纳米材料的等离激元特性 | 第30-41页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 理论背景 | 第30-36页 |
| 2.2.1 麦克斯韦方程组 | 第30-32页 |
| 2.2.2 贵金属纳米颗粒的介电常数 | 第32-33页 |
| 2.2.3 Mie理论 | 第33-35页 |
| 2.2.4 Gan理论 | 第35-36页 |
| 2.3 数值计算方法 | 第36-40页 |
| 2.3.1 离散偶极近似法 | 第36-38页 |
| 2.3.2 时域有限差分法 | 第38-40页 |
| 2.4 总结 | 第40-41页 |
| 第三章 金纳米棒的合成及其等离激元特性研究 | 第41-51页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-43页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第42页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第42-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
| 3.3.1 反应试剂的量对金纳米棒生长的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.2 入射光波长对金纳米棒生长的影响 | 第45页 |
| 3.3.3 温度对金纳米棒生长的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.4 Gan理论分析与FDTD数值模拟 | 第46-50页 |
| 3.4 总结 | 第50-51页 |
| 第四章 金纳米棒自组装体的合成及其等离激元特性研究 | 第51-67页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.2.1 实验试剂与仪器 | 第52页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.2.3 样品的制备和表征 | 第53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-60页 |
| 4.3.1 双巯基聚乙二醇诱导自组装 | 第53-56页 |
| 4.3.2 半胱氨酸诱导自组装 | 第56-58页 |
| 4.3.3 3-巯基丙酸诱导自组装 | 第58-60页 |
| 4.4 等离激元耦合模型与FDTD数值计算 | 第60-66页 |
| 4.4.1 金纳米棒的等离激元耦合模型 | 第60-62页 |
| 4.4.2 FDTD数值计算 | 第62-66页 |
| 4.5 结论 | 第66-67页 |
| 第五章 金纳米棒核-壳结构的合成及其等离激元特性研究 | 第67-78页 |
| 5.1 引言 | 第67-68页 |
| 5.2 实验部分 | 第68-69页 |
| 5.2.1 实验试剂与仪器 | 第68页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第68-69页 |
| 5.2.3 样品的制备和表征 | 第69页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第69-76页 |
| 5.3.1 CTAB的作用 | 第70-71页 |
| 5.3.2 TEOS的水解机理 | 第71页 |
| 5.3.3 SiO2壳层厚度对吸收谱的影响 | 第71-72页 |
| 5.3.4 FDTD数值计算 | 第72-73页 |
| 5.3.5 GNR@SiO2的热稳定性研究 | 第73-76页 |
| 5.4 结论 | 第76-78页 |
| 第六章 金纳米棒多聚体核-壳结构的合成及其等离激元特性研究 | 第78-88页 |
| 6.1 引言 | 第78-79页 |
| 6.2 实验部分 | 第79-80页 |
| 6.2.1 试剂与实验仪器 | 第79-80页 |
| 6.2.2 实验过程 | 第80页 |
| 6.2.3 样品的制备和表征 | 第80页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第80-86页 |
| 6.3.1 金纳米棒多聚体的包覆 | 第80-85页 |
| 6.3.2 FDTD数值计算 | 第85-86页 |
| 6.4 结论 | 第86-88页 |
| 第七章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 7.1 总结 | 第88-89页 |
| 7.2 展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第103页 |
