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基于CNFET的三值存储器研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
引言第10-12页
1 绪论第12-19页
    1.1 研究背景与意义第12-14页
    1.2 国内外研究现状第14-16页
    1.3 内容安排第16-19页
2 基于CNFET的三值SRAM体系结构和多值逻辑理论研究第19-29页
    2.1 多值逻辑理论第19-22页
        2.1.1 三值格代数第19页
        2.1.2 开关—信号理论第19-22页
    2.2 CNFET结构特点第22-27页
    2.3 三值SRAM体系结构第27-28页
    2.4 本章小结第28-29页
3 基于CNFET的单端口三值SRAM单元设计第29-36页
    3.1 三值反相器设计第29-30页
    3.2 单端口三值SRAM单元设计第30-32页
    3.3 计算机仿真与分析第32-34页
        3.3.1 静态噪声容限第32-33页
        3.3.2 延时与功耗第33-34页
    3.4 本章小结第34-36页
4 基于CNFET的三值高效率地址译码器设计第36-48页
    4.1 三值门电路设计第36-39页
    4.2 三值地址译码器设计第39-44页
        4.2.1 1 线—3 线地址译码器第39-40页
        4.2.2 2 线—9 线地址译码器第40-42页
        4.2.3 4 线—81 线及n线—3n线地址译码器第42-44页
    4.3 计算机仿真与分析第44-47页
        4.3.1 工作波形及译码效率第44-46页
        4.3.2 延时及功耗第46-47页
    4.4 本章小结第47-48页
5 基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计第48-55页
    5.1 基于CNFET的三值灵敏放大器设计第48-50页
    5.2 计算机仿真与分析第50-53页
        5.2.1 工作波形、速度及功耗第51-52页
        5.2.2 芯片成品率及稳定性第52-53页
    5.3 本章小结第53-55页
6 基于CNFET的高性能三值SRAM-PUF电路设计第55-65页
    6.1 PUF电路概述第55-56页
    6.2 基于CNFET的三值SRAM-PUF电路设计第56-60页
        6.2.1 失配分析第56-58页
        6.2.2 基于CNFET的三值SRAM-PUF单元第58-59页
        6.2.3 基于CNFET的三值n位SRAM-PUF电路第59-60页
    6.3 计算机仿真与分析第60-64页
        6.3.1 随机性第60-62页
        6.3.2 唯一性第62-63页
        6.3.3 工作速度第63-64页
    6.4 本章小结第64-65页
7 结束语第65-68页
    7.1 本文工作小结第65-67页
    7.2 未来工作展望第67-68页
参考文献第68-73页
附录A第73-83页
在学研究成果第83-85页
致谢第85页

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