| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-39页 |
| 第1节 铜氧化合物高温超导体 | 第10-16页 |
| 1.1 超导现象的历史回顾 | 第10-13页 |
| 1.2 铜氧化合物高温超导体的结构和相图 | 第13-16页 |
| 第2节 拓扑绝缘体中的强关联效应 | 第16-22页 |
| 2.1 量子自旋霍尔效应和拓扑绝缘体 | 第16-19页 |
| 2.2 Kane-Mele-Hubbard模型 | 第19-22页 |
| 第3节 研究强关联系统的相关实验 | 第22-28页 |
| 3.1 扫描隧道显微镜 | 第22-25页 |
| 3.2 角分辨光电子谱 | 第25-28页 |
| 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-39页 |
| 第二章 理论模型和方法 | 第39-54页 |
| 第1节 单带Hubbard模型 | 第39-41页 |
| 第2节 自洽平均场近似方法 | 第41-42页 |
| 第3节 集团微扰展开理论 | 第42-50页 |
| 3.1 严格对角化的Lancozs方法 | 第42-46页 |
| 3.2 集团微扰展开和周期化方法 | 第46-48页 |
| 3.3 物理量平均值的计算 | 第48-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第三章 单电子掺杂Mott绝缘体中的局域电子态 | 第54-76页 |
| 第1节 单空穴或电子在反铁磁背景下的行为 | 第54-61页 |
| 1.1 相关的理论研究 | 第54-58页 |
| 1.2 ARPES和STM的实验结果 | 第58-61页 |
| 第2节 计算模型和相关参数 | 第61-62页 |
| 第3节 结果和讨论 | 第62-70页 |
| 3.1 杂质附近的局域态密度 | 第63-66页 |
| 3.2 能隙中间局域态的形成 | 第66-69页 |
| 3.3 平均场近似的计算结果 | 第69-70页 |
| 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第四章 自旋轨道耦合对蜂窝格子中杂质诱导磁性的影响 | 第76-97页 |
| 第1节 研究背景与动机 | 第76-81页 |
| 1.1 单层石墨中杂质诱导磁性 | 第76-79页 |
| 1.2 由空缺诱导的拓扑束缚态 | 第79-81页 |
| 第2节 计算模型和相关参数 | 第81-82页 |
| 第3节 结果和讨论 | 第82-91页 |
| 3.1 自旋轨道耦合对单格点空缺磁性的影响 | 第83-87页 |
| 3.2 多格点空缺磁性的变化 | 第87-91页 |
| 本章小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第五章 总结和展望 | 第97-99页 |
| 博士期间完成的论文 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |