| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 参考文献 | 第12-13页 |
| 第二章 Weyl semimetal简介 | 第13-20页 |
| 2.1 拓扑绝缘体 | 第13页 |
| 2.2 拓扑半金属 | 第13-17页 |
| 2.2.1 Dirac半金属 | 第14-15页 |
| 2.2.2 Weyl半金属 | 第15-16页 |
| 2.2.3 node-line半金属 | 第16-17页 |
| 2.3 Weyl半金属的相关拓扑性 | 第17-19页 |
| 2.3.1 Weyl点受拓扑保护稳定性 | 第17页 |
| 2.3.2 拓扑表面态的费米弧 | 第17-18页 |
| 2.3.3 手征奇异性——负磁阻效应 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第三章 BTK理论 | 第20-26页 |
| 3.1 BCS配对态 | 第20页 |
| 3.2 FFLO配对态 | 第20-21页 |
| 3.3 BdG方程 | 第21-22页 |
| 3.4 Andreev反射(局域Andreev反射) | 第22-23页 |
| 3.5 非局域Andreev反射 | 第23-24页 |
| 3.6 BTK理论 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第四章 具有BCS配对态的Weyl半金属异质结的研究 | 第26-45页 |
| 4.1 研究背景 | 第26-27页 |
| 4.2 理论模型及推导 | 第27-32页 |
| 4.3 Weyl点1情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声 | 第32-36页 |
| 4.3.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声 | 第32-33页 |
| 4.3.2 其它不同角度α下的散射过程发生的几率 | 第33-34页 |
| 4.3.3 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率 | 第34-35页 |
| 4.3.4 电导随偏置电压eV的变化 | 第35-36页 |
| 4.3.5 噪声随偏置电压eV的变化 | 第36页 |
| 4.4 Weyl点2情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声 | 第36-41页 |
| 4.4.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声 | 第36-37页 |
| 4.4.2 其它不同角度α下的散射过程发生的几率 | 第37-38页 |
| 4.4.3 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率 | 第38-39页 |
| 4.4.4 电导随偏置电压eV的变化 | 第39-40页 |
| 4.4.5 噪声随偏置电压eV的变化 | 第40-41页 |
| 4.5 总电导及总噪声特点 | 第41-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第五章 具有FFLO配对态的Weyl半金属异质结的研究 | 第45-58页 |
| 5.1 研究背景 | 第45页 |
| 5.2 理论模型与公式 | 第45-48页 |
| 5.3 Weyl点1情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声 | 第48-52页 |
| 5.3.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声 | 第48-49页 |
| 5.3.2 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率 | 第49-50页 |
| 5.3.3 在不同α角度下的散射过程发生的几率 | 第50页 |
| 5.3.4 电导随偏置电压eV的变化 | 第50-51页 |
| 5.3.5 噪声随偏置电压eV的变化 | 第51-52页 |
| 5.4 Weyl点2情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声 | 第52-55页 |
| 5.4.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声 | 第52页 |
| 5.4.2 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率 | 第52-53页 |
| 5.4.3 电导随偏置电压eV的变化 | 第53-54页 |
| 5.4.4 噪声随偏置电压eV的变化 | 第54-55页 |
| 5.5 总的电导以及噪声的特点 | 第55-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 附录 | 第60-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
