摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第11-29页 |
1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 金属氧化物半导体气体传感器 | 第12-17页 |
1.3 NiO基气体传感器 | 第17-19页 |
1.4 提升p型金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 | 第19-25页 |
1.5 本文的选题思路和主要研究内容 | 第25-29页 |
2 实验部分 | 第29-35页 |
2.1 主要试剂 | 第29页 |
2.2 主要实验设备 | 第29-30页 |
2.3 主要表征分析方法 | 第30-31页 |
2.4 气敏材料前驱体的制备 | 第31-32页 |
2.5 气敏性能测试 | 第32-35页 |
3. 无晶界的介孔单晶NiO纳米片增强的室温NO_2气敏性能 | 第35-51页 |
3.1 引言 | 第35-36页 |
3.2 实验部分 | 第36-37页 |
3.3 结果与讨论 | 第37-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-51页 |
4. 介孔单晶NiO纳米片中Ni离子空位对室温NO_2气敏性能的影响 | 第51-66页 |
4.1 引言 | 第51-53页 |
4.2 实验部分 | 第53页 |
4.3 结果与讨论 | 第53-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-66页 |
5. 基于介孔单晶NiO的NiO-SnO_2异质结纳米复合物增强的室温NO_2气敏性能 | 第66-86页 |
5.1 引言 | 第66-68页 |
5.2 实验部分 | 第68页 |
5.3 结果与讨论 | 第68-84页 |
5.4 本章小结 | 第84-86页 |
6. rGO-NiO复合物提高的恢复速率及其与NiO的室温气敏性能对比研究 | 第86-103页 |
6.1 引言 | 第86-87页 |
6.2 实验部分 | 第87-88页 |
6.3 结果与讨论 | 第88-101页 |
6.4 本章小结 | 第101-103页 |
7. 三相NiO-SnO_2-rGO纳米复合物超高的室温NO_2响应及其快速恢复速率 | 第103-117页 |
7.1 引言 | 第103-105页 |
7.2 实验部分 | 第105页 |
7.3 结果与讨论 | 第105-116页 |
7.4 本章小结 | 第116-117页 |
8 全文总结 | 第117-121页 |
8.1 主要结论 | 第117-119页 |
8.2 主要创新点 | 第119页 |
8.3 存在的问题与相关工作展望 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-123页 |
参考文献 | 第123-140页 |
附录1 攻读博士学位期间撰写与发表的论文 | 第140-141页 |
会议论文 | 第141页 |