| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnO的晶体结构及主要应用 | 第9-12页 |
| 1.2.1 ZnO的基本结构和性质 | 第9-11页 |
| 1.2.2 ZnO的主要应用 | 第11-12页 |
| 1.3 MgO的晶体结构及主要应用 | 第12-13页 |
| 1.3.1 MgO的基本晶体结构 | 第12页 |
| 1.3.2 MgO的主要用途 | 第12-13页 |
| 1.4 ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO量子阱的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 本文主要工作与研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章实验方案与样品制备及表征方法 | 第18-28页 |
| 2.1 量子阱的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第18-19页 |
| 2.1.2 分子束外延法(MBE) | 第19页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第19-20页 |
| 2.1.4 磁控溅射法(MS) | 第20-21页 |
| 2.2 制备ZnO/MgO量子阱的设备及流程 | 第21-24页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验工艺流程 | 第22-24页 |
| 2.3 样品的表征方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 |
| 2.3.2 光致发光(PL)光谱仪 | 第25页 |
| 2.3.3 膜厚分析仪 | 第25-26页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS) | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备及工艺优化 | 第28-48页 |
| 3.1 工作气压对制备ZnO薄膜的影响 | 第28-32页 |
| 3.2 射频溅射功率对制备ZnO薄膜的影响 | 第32-36页 |
| 3.3 衬底温度对制备ZnO薄膜的影响 | 第36-39页 |
| 3.4 氩氧流量比对制备ZnO薄膜的影响 | 第39-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 MgO薄膜的制备及工艺优化 | 第48-62页 |
| 4.1 氩氧流量比对制备MgO薄膜的影响 | 第48-54页 |
| 4.2 衬底温度对制备MgO薄膜的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 工作气压对制备MgO薄膜的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 工作气体中掺入N_2对制备MgO薄膜的影响 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 ZnO/MgO单量子阱的制备与表征 | 第62-70页 |
| 5.1 ZnO/MgO单量子阱的XRD测试 | 第63-64页 |
| 5.2 ZnO/MgO单量子阱的SEM及EDS测试 | 第64-66页 |
| 5.3 ZnO/MgO单量子阱典型样品的AFM测试 | 第66-67页 |
| 5.4 ZnO/MgO单量子阱的室温PL谱测试 | 第67-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 ZnO/MgO多量子阱的制备与表征 | 第70-78页 |
| 6.1 ZnO/MgO多量子阱的XRD测试 | 第71-72页 |
| 6.2 ZnO/MgO多量子阱的SEM测试 | 第72-73页 |
| 6.3 ZnO/MgO多量子阱典型样品的AFM测试 | 第73-74页 |
| 6.4 ZnO/MgO多量子阱的室温PL谱测试 | 第74-76页 |
| 6.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第七章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 7.1 本文工作总结 | 第78-79页 |
| 7.2 今后工作展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
