摘要 | 第1-5页 |
abstract | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-32页 |
·存储器的分类 | 第12页 |
·非易失性存储器 | 第12-16页 |
·传统Flash存储器 | 第12-13页 |
·铁电存储器(FeRAM) | 第13-14页 |
·相变存储器(PRAM) | 第14页 |
·磁阻存储器(MRAM) | 第14-15页 |
·阻变存储器(RRAM) | 第15-16页 |
·RRAM研究进展 | 第16-22页 |
·过渡金属氧化物(TMO) | 第16-18页 |
·钙钛矿材料(TMO) | 第18-20页 |
·有机材料 | 第20-22页 |
·电阻转换机制模型 | 第22-30页 |
·导电丝 (Filament) 理论 | 第22-25页 |
·S-V (Simmnon-Verderber) 理论 | 第25-26页 |
·普尔-法兰克发射(Poole-Frenkel emission) | 第26-27页 |
·空间电荷限制电流 (space-charge limited current) | 第27-29页 |
·肖特基势垒模型(modified schottky barrier model) | 第29页 |
·隧穿(tunneling)机制 | 第29-30页 |
·选题意义、目的和主要研究内容 | 第30-32页 |
第二章 实验仪器介绍 | 第32-37页 |
·薄膜生长系统 | 第32-34页 |
·激光分子束外延生长系统 | 第32-33页 |
·热蒸发沉积系统 | 第33页 |
·匀胶机旋涂技术 | 第33-34页 |
·薄膜参数及性能测量仪器 | 第34-37页 |
·椭偏仪测定薄膜厚度 | 第34页 |
·台阶仪测定薄膜厚度 | 第34-35页 |
·薄膜结构测量 | 第35页 |
·(导电)原子力显微镜 | 第35-36页 |
·Keithley 2400 系统 | 第36-37页 |
第三章 嵌入Ti纳米层增强ZnO器件的忆阻特性 | 第37-46页 |
·引言 | 第37页 |
·器件制备过程和测量方法 | 第37-38页 |
·薄膜结构及表面形貌 | 第38-39页 |
·器件的电学特性分析 | 第39-45页 |
·忆阻器件的抗疲劳特性 | 第39-40页 |
·Ti层厚度对忆阻特性的影响 | 第40-41页 |
·Ti层数目对忆阻特性的影响 | 第41-42页 |
·忆阻行为的转换机制和电荷输运模式 | 第42-45页 |
·小结 | 第45-46页 |
第四章 Ag纳米颗粒修饰电极增强Al_2O_3器件的忆阻特性 | 第46-55页 |
·引言 | 第46页 |
·器件制备和测量方法 | 第46-47页 |
·器件的制备与测量 | 第46-47页 |
·Ag纳米颗粒的合成与测定 | 第47页 |
·器件的电学特性分析 | 第47-54页 |
·多次测量的电学特性 | 第47-48页 |
·Al_2O_3厚度对忆阻特性的影响 | 第48-49页 |
·Ag纳米颗粒对记忆特性的影响 | 第49-50页 |
·忍耐力测试和保存特性 | 第50-51页 |
·忆阻行为的转换机制和导电机理 | 第51-54页 |
·小结 | 第54-55页 |
第五章 退火处理增强ZnS薄膜器件的阻变特性 | 第55-63页 |
·引言 | 第55页 |
·实验过程和测量设置 | 第55-56页 |
·表面形貌的表征 | 第56-57页 |
·电学性能测量和结果分析 | 第57-60页 |
·器件在不同电压下的I-V曲线 | 第57-58页 |
·不同厚度ZnS薄膜器件的I-V曲线 | 第58-59页 |
·退火对器件I-V特性的影响 | 第59-60页 |
·器件负微分效应(阻变转换)的物理机制 | 第60-62页 |
·小结 | 第62-63页 |
第六章 新型多功能DNA生物忆阻器 | 第63-73页 |
·引言 | 第63-64页 |
·器件的制备和测试方法 | 第64-65页 |
·材料处理和器件的制备 | 第64-65页 |
·实验测量技术 | 第65页 |
·器件电学性能测试及结果分析 | 第65-73页 |
·DNA器件的读-写-擦和一次写入-多次读取特性 | 第65-67页 |
·Ag离子对器件忆阻特性的影响 | 第67-70页 |
·器件的多级存储特性 | 第70-71页 |
·小结 | 第71-73页 |
第七章 结论与展望 | 第73-75页 |
·论文总结 | 第73-74页 |
·工作展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第83-84页 |
附件 | 第84页 |