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金属氧化物忆阻特性的增强与新型多功能生物忆阻器

摘要第1-5页
abstract第5-11页
第一章 绪论第11-32页
   ·存储器的分类第12页
   ·非易失性存储器第12-16页
     ·传统Flash存储器第12-13页
     ·铁电存储器(FeRAM)第13-14页
     ·相变存储器(PRAM)第14页
     ·磁阻存储器(MRAM)第14-15页
     ·阻变存储器(RRAM)第15-16页
   ·RRAM研究进展第16-22页
     ·过渡金属氧化物(TMO)第16-18页
     ·钙钛矿材料(TMO)第18-20页
     ·有机材料第20-22页
   ·电阻转换机制模型第22-30页
     ·导电丝 (Filament) 理论第22-25页
     ·S-V (Simmnon-Verderber) 理论第25-26页
     ·普尔-法兰克发射(Poole-Frenkel emission)第26-27页
     ·空间电荷限制电流 (space-charge limited current)第27-29页
     ·肖特基势垒模型(modified schottky barrier model)第29页
     ·隧穿(tunneling)机制第29-30页
   ·选题意义、目的和主要研究内容第30-32页
第二章 实验仪器介绍第32-37页
   ·薄膜生长系统第32-34页
     ·激光分子束外延生长系统第32-33页
     ·热蒸发沉积系统第33页
     ·匀胶机旋涂技术第33-34页
   ·薄膜参数及性能测量仪器第34-37页
     ·椭偏仪测定薄膜厚度第34页
     ·台阶仪测定薄膜厚度第34-35页
     ·薄膜结构测量第35页
     ·(导电)原子力显微镜第35-36页
     ·Keithley 2400 系统第36-37页
第三章 嵌入Ti纳米层增强ZnO器件的忆阻特性第37-46页
   ·引言第37页
   ·器件制备过程和测量方法第37-38页
   ·薄膜结构及表面形貌第38-39页
   ·器件的电学特性分析第39-45页
     ·忆阻器件的抗疲劳特性第39-40页
     ·Ti层厚度对忆阻特性的影响第40-41页
     ·Ti层数目对忆阻特性的影响第41-42页
     ·忆阻行为的转换机制和电荷输运模式第42-45页
   ·小结第45-46页
第四章 Ag纳米颗粒修饰电极增强Al_2O_3器件的忆阻特性第46-55页
   ·引言第46页
   ·器件制备和测量方法第46-47页
     ·器件的制备与测量第46-47页
     ·Ag纳米颗粒的合成与测定第47页
   ·器件的电学特性分析第47-54页
     ·多次测量的电学特性第47-48页
     ·Al_2O_3厚度对忆阻特性的影响第48-49页
     ·Ag纳米颗粒对记忆特性的影响第49-50页
     ·忍耐力测试和保存特性第50-51页
     ·忆阻行为的转换机制和导电机理第51-54页
   ·小结第54-55页
第五章 退火处理增强ZnS薄膜器件的阻变特性第55-63页
   ·引言第55页
   ·实验过程和测量设置第55-56页
   ·表面形貌的表征第56-57页
   ·电学性能测量和结果分析第57-60页
     ·器件在不同电压下的I-V曲线第57-58页
     ·不同厚度ZnS薄膜器件的I-V曲线第58-59页
     ·退火对器件I-V特性的影响第59-60页
   ·器件负微分效应(阻变转换)的物理机制第60-62页
   ·小结第62-63页
第六章 新型多功能DNA生物忆阻器第63-73页
   ·引言第63-64页
   ·器件的制备和测试方法第64-65页
     ·材料处理和器件的制备第64-65页
     ·实验测量技术第65页
   ·器件电学性能测试及结果分析第65-73页
     ·DNA器件的读-写-擦和一次写入-多次读取特性第65-67页
     ·Ag离子对器件忆阻特性的影响第67-70页
     ·器件的多级存储特性第70-71页
     ·小结第71-73页
第七章 结论与展望第73-75页
   ·论文总结第73-74页
   ·工作展望第74-75页
参考文献第75-82页
致谢第82-83页
攻读硕士期间发表的学术论文第83-84页
附件第84页

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