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基于忆阻器的功能性电路研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第7-19页
   ·研究背景与意义第7-9页
   ·研究现状及发展趋势第9-10页
   ·忆阻器的定义与基本特征第10-13页
   ·忆阻器的应用电路第13-16页
   ·记忆元件与记忆系统第16-17页
   ·本论文主要研究内容第17-19页
第二章 忆阻器基本特性第19-31页
   ·忆阻器模型第19-22页
   ·Simulink简介第22-23页
   ·荷控忆阻器基本特性第23-26页
     ·三次非线性荷控忆阻器基本特性第23-24页
     ·分段线性荷控忆阻器基本特性第24-26页
   ·磁控忆阻器基本特性第26-30页
     ·三次非线性磁控忆阻器基本特性第26-28页
     ·分段线性磁控忆阻器基本特性第28-30页
   ·本章小结第30-31页
第三章 MLC串并联电路的特性研究第31-36页
   ·荷控忆阻器与LC串联电路的特性研究第31-33页
   ·磁控忆阻器与LC并联电路的特性研究第33-34页
   ·本章小结第34-36页
第四章 含忆阻器的功能电路特性研究第36-56页
   ·蔡氏电路第36-40页
   ·Multisim简介第40-41页
   ·蔡氏忆阻混沌电路第41-45页
   ·增加型忆阻器与降低型忆阻器第45-49页
   ·振荡电路的研究第49-55页
     ·文氏桥振荡电路第49页
     ·基于增加型忆阻器的文氏桥振荡电路第49-55页
   ·本章小结第55-56页
第五章 总结与展望第56-58页
参考文献第58-62页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第62-63页
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第63-64页
致谢第64页

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