基于IGCT的中压固态限流器研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·故障限流器的发展 | 第13-21页 |
| ·谐振型限流器 | 第13-15页 |
| ·超导限流器 | 第15-17页 |
| ·液态金属型限流器 | 第17页 |
| ·固态限流器 | 第17-18页 |
| ·混合型限流器 | 第18-21页 |
| ·固态限流器存在的问题 | 第21页 |
| ·本文主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 固态限流器拓扑研究 | 第23-38页 |
| ·大功率半导体器件的发展 | 第23-30页 |
| ·基于硅材料的大功率半导体器件发展趋势 | 第23-29页 |
| ·新材料型半导体发展趋势 | 第29-30页 |
| ·固态限流器拓扑研究 | 第30-36页 |
| ·桥式固态限流器拓扑 | 第30-34页 |
| ·串联开关型拓扑 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 IGCT集总电荷模型研究 | 第38-52页 |
| ·半导体仿真模型概况 | 第38-39页 |
| ·IGCT集总电荷模型原理 | 第39-42页 |
| ·Saber模型实现 | 第42-44页 |
| ·模型测试 | 第44-46页 |
| ·IGCT开通测试 | 第45-46页 |
| ·IGCT关断测试 | 第46页 |
| ·实验与仿真结果对比分析 | 第46-48页 |
| ·固态开关类应用验证 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 IGCT并联研究 | 第52-67页 |
| ·影响IGCT均流因素分析 | 第52-55页 |
| ·静态均流影响因素 | 第52-53页 |
| ·动态均流影响因素 | 第53-55页 |
| ·IGCT并联实验 | 第55-59页 |
| ·实验原理 | 第55-56页 |
| ·实验结果 | 第56-59页 |
| ·实验现象讨论 | 第59-66页 |
| ·缓冲对IGCT关断的影响 | 第59-62页 |
| ·拖尾电流瞬变问题 | 第62-64页 |
| ·动态雪崩击穿问题 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 压敏电阻并联保护研究 | 第67-77页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·压敏电阻保护仿真 | 第69-72页 |
| ·单只压敏电阻保护仿真 | 第69-70页 |
| ·压敏电阻并联保护仿真 | 第70-72页 |
| ·压敏电阻并联保护实验： | 第72-76页 |
| ·压敏电阻参数测试 | 第72-73页 |
| ·压敏电阻并联实验及分析 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 固态限流器电流转移实验 | 第77-81页 |
| ·实验原理 | 第77-78页 |
| ·限流元件选择 | 第77页 |
| ·电阻型限流实验原理 | 第77-78页 |
| ·实验结果及讨论 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第81-83页 |
| ·全文总结 | 第81-82页 |
| ·工作展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第90页 |
